[发明专利]一种陶瓷基印制电路板及其制备工艺有效

专利信息
申请号: 202110517271.4 申请日: 2021-05-12
公开(公告)号: CN113185270B 公开(公告)日: 2023-01-10
发明(设计)人: 陈绍智;陈月;郑海军;熊凌鹏;王全才;张勇 申请(专利权)人: 四川锐宏电子科技有限公司
主分类号: C04B35/10 分类号: C04B35/10;C04B35/622;C04B35/626;C04B35/64;H05K1/03;H05K3/02
代理公司: 成都立新致创知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 51277 代理人: 谭德兵
地址: 620564 四*** 国省代码: 四川;51
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摘要:
搜索关键词: 一种 陶瓷 印制 电路板 及其 制备 工艺
【权利要求书】:

1.一种陶瓷基印制电路板,包括从下至上依次贴合的陶瓷基板、覆铜层、覆合层,其特征在于:

所述的陶瓷基板包括如下重量比的各组分:

氧化铝:65~85份,氧化硅20~30份,碳化硅20~40份,氧化锰1~5份;

陶瓷基印制电路板的制备工艺,为以下步骤:

S1、制备碳化硅多孔陶瓷颗粒粉末;

先称取粒径为5~10um的碳化硅粉末,添加粘合剂,压合并烧结成碳化硅陶瓷,烧结过程中温度低于1200℃;

然后将烧结后成型的碳化硅陶瓷进行破碎研磨,形成粒径为20~60um的碳化硅陶瓷颗粒粉末;

S2、将氧化硅、氧化锰、1~5um粒径的氧化铝、20~60um粒径的碳化硅陶瓷颗粒粉末在氟气环境下进行混合,然后进行压合,再进行烧结;

烧结分为三个阶段,第一阶段温度为1200~1400℃,主要烧结氧化硅;第二阶段温度为1400~1800℃,主要烧结氧化铝;第三阶段温度为1800~1950℃,主要烧结碳化硅;

S3、将烧结获得的陶瓷基板打磨后与覆铜层粘合成整体,然后用机械方法先钻孔,再用激光进行简单修孔,对孔进行处理后粘合覆合层。

2.根据权利要求1所述的一种陶瓷基印制电路板,其特征在于:所述的陶瓷基板包括如下重量比的各组分:

氧化铝:65~75份,氧化硅20~25份,碳化硅20~30份,氧化锰1~2份。

3.根据权利要求2所述的一种陶瓷基印制电路板,其特征在于:所述的陶瓷基板的导热系数为50~70W/m·K,洛氏硬度为50~60HRA。

4.根据权利要求2所述的一种陶瓷基印制电路板,其特征在于:所述的陶瓷基板包括陶瓷板A和陶瓷板B,陶瓷板A呈网孔状,两块陶瓷板B将多块网孔状的陶瓷板A夹持形成陶瓷基板。

5.根据权利要求1~4任一项所述的一种陶瓷基印制电路板,其特征在于:所述的步骤S1中,碳化硅陶瓷并未充分烧结且形成多孔陶瓷,最后研磨成的碳化硅陶瓷颗粒粉末还有4~6个碳化硅颗粒。

6.根据权利要求1~4任一项所述的一种陶瓷基印制电路板,其特征在于:所述的步骤S2中,温度逐渐由低到高的上升时,氧化硅先烧结且其本身玻璃相程度高,在氧化铝烧结时促进氧化铝更加地玻璃相化;

步骤S2中,第一阶段烧结时间为2~3h,第二阶段烧结时间为2~3h,第三阶段烧结时间为20~30min,避免碳化硅充分烧结,保证多孔度。

7.根据权利要求6所述的一种陶瓷基印制电路板,其特征在于:所述的步骤S2中,在第二烧结阶段,氧化锰与氧化铝同步烧结。

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