[发明专利]参考单元替换方法、装置及存储介质

说明书

本发明公开一种参考单元替换方法、装置及存储介质，其中，参考单元替换方法包括接收擦除操作指令；测量参考单元的输出电流，当所述参考单元的输出电流与所述参考单元的设计电流不同，对所述参考单元执行替换操作；根据所述擦除操作指令执行擦除操作。本发明实施例中，当接收到擦除操作指令，存储芯片执行擦除操作之前，对参考单元的进行检测，并对出现问题的参考单元进行替换，可以有效解决参考单元随着存储芯片的使用时间增长而逐渐失效的问题，提高存储芯片的可靠性；另一方面，相对于读写操作来说，擦除操作花费的时间较长，因此选择在擦除操作前进行参考单元检测，可以避免检测过程对存储芯片的读写速度的影响。

技术领域

本发明涉及存储芯片技术领域，尤其涉及一种参考单元替换方法、装置及存储介质。

背景技术

非易失性存储芯片的读电路可以用于比较存储单元和参考单元的电流大小，从而判断存储单元的数据是否正确；然而随着存储芯片的使用，参考单元会慢慢老化，产生的电流会有偏差，容易导致存储芯片读错，降低存储芯片的可靠性。

发明内容

以下是对本文详细描述的主题的概述。本概述并非是为了限制权利要求的保护范围。

本发明实施例提供了一种参考单元替换方法、装置及存储介质，在擦除操作的过程中对参考单元进行测量和替换，从而保证参考单元的性能，提高存储芯片的可靠性。

第一方面，本发明实施例提供了一种参考单元替换方法，包括：接收擦除操作指令；

测量参考单元的输出电流，当所述参考单元的输出电流与所述参考单元的设计电流不同，对所述参考单元执行替换操作；

根据所述擦除操作指令执行擦除操作。

本发明实施例提供的参考单元替换方法，至少具有如下有益效果：当接收到擦除操作指令，存储芯片执行擦除操作之前，对参考单元的进行检测，并对出现问题的参考单元进行替换，可以有效解决参考单元随着存储芯片的使用时间增长而逐渐失效的问题，提高存储芯片的可靠性；另一方面，相对于读写操作来说，擦除操作花费的时间较长，因此选择在擦除操作前进行参考单元检测，可以避免检测过程对存储芯片的读写速度的影响。

在一些实施例中，所述测量参考单元的输出电流，包括：

根据参考单元的地址信息选取其中一个参考单元；

获取选取的参考单元的输出电流。

在一些实施例中，还包括：

每测量完一个参考单元，从当前参考单元切换到下一个参考单元进行测量。

在一些实施例中，所述从当前参考单元切换到下一个参考单元进行测量，包括：

将当前参考单元的地址递增，使当前地址指向下一个参考单元的地址。

在一些实施例中，所述对所述参考单元执行替换操作，包括：

确定至少一个替换单元可用于执行替换操作；

选取一个可用的替换单元对所述参考单元执行替换操作。

在一些实施例中，所述选取一个可用的替换单元对所述参考单元执行替换操作，包括：

当所述参考单元未被替换过，根据选取的替换单元编程替换信息；

当所述参考单元已被替换过且没有可用于替换的所述参考单元的替换单元，返回错误报告。

在一些实施例中，所述对所述参考单元执行替换操作，还包括：

存储替换信息。

在一些实施例中，在测量参考单元的输出电流之后，还包括：

获取所述参考单元的设计电流；