[发明专利]水听器及其制造方法

说明书

本公开提供了一种水听器及其制造方法。该水听器包括：薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；压电结构，被配置用于响应于物理形变而生成第一感测信号；以及压阻结构，被配置用于响应于物理形变而生成第二感测信号。

技术领域

本公开涉及半导体技术领域，特别是涉及一种水听器及其制造方法。

背景技术

基于压电技术的薄膜结构MEMS水听器具有灵敏度高、功耗低等特点。但是，受到压电效应检测原理的限制，薄膜结构类压电MEMS水听器仅能检测动态声压，对于使用环境下的静态水压则无法识别。

水听器使用环境下的静态水压会影响MEMS水听器薄膜结构的变形，进一步影响其检测灵敏度的准确性。另外，如果静态水压过大也会导致薄膜结构的损坏。

发明内容

提供一种缓解、减轻或者甚至消除上述问题中的一个或多个的机制将是有利的。

根据本公开的一些实施例，提供了一种水听器，包括：薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；压电结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第一感测信号；以及压阻结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第二感测信号。

根据本公开的一些实施例，还提供了一种水听器的制造方法，包括：提供半导体衬底；在所述半导体衬底的第一表面处形成压电结构和压阻结构；以及在所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面形成凹槽，从而使所述半导体衬底的至少一部分形成薄膜，所述凹槽关于所述薄膜与所述压阻结构和压电结构相对。

根据在下文中所描述的实施例，本公开的这些和其它方面将是清楚明白的，并且将参考在下文中所描述的实施例而被阐明。

附图说明

在下面结合附图对于示例性实施例的描述中，本公开的更多细节、特征和优点被公开，在附图中：

图1是根据本公开示例性实施例的水听器的剖面示意图；

图2A-图2D是根据本公开示例性实施例的水听器的平面结构示意图；

图3是根据本公开示例性实施例的水听器的制造方法的流程图；

图4是根据本公开示例性实施例的图3的方法中形成压电结构和压阻结构的示例过程的流程图；

图5A至图5F是根据本公开示例性实施例的图3的方法各个步骤中所形成的水听器的示例结构的剖面示意图；

图6是根据本公开示例性实施例的图3的方法中形成压电结构和压阻结构的示例过程的流程图；并且

图7A至图7G是根据本公开示例性实施例的图3的方法各个步骤中所形成的水听器的示例结构的剖面示意图。

具体实施方式

将理解的是，尽管术语第一、第二、第三等等在本文中可以用来描述各种元件、部件、区、层和/或部分，但是这些元件、部件、区、层和/或部分不应当由这些术语限制。这些术语仅用来将一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分相区分。因此，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可以被称为第二元件、部件、区、层或部分而不偏离本公开的教导。