[发明专利]水听器及其制造方法

权利要求书

1.一种水听器，包括：

薄膜，被配置用于响应于动态声压和静态水压而产生物理形变；

压电结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第一感测信号，所述第一感测信号指示所述动态声压；以及

压阻结构，被配置用于响应于所述物理形变而生成第二感测信号，所述第二感测信号指示所述静态水压，其中，所述压阻结构包括至少一个压敏电阻，所述至少一个压敏电阻包括均匀分布在所述薄膜的表面处的四个压敏电阻，所述四个压敏电阻构成惠斯通电桥。

2.如权利要求1所述的水听器，其中，所述至少一个压敏电阻位于所述薄膜中。

3.如权利要求2所述的水听器，其中，每个所述压敏电阻包括形成于所述薄膜中的半导体掺杂区。

4.如权利要求1所述的水听器，其中，所述至少一个压敏电阻位于所述薄膜的表面上。

5.如权利要求4所述的水听器，其中，每个所述压敏电阻的材料包括从以下各项构成的组中选择的至少一种：掺杂金刚石薄膜、掺杂硅和掺杂碳化硅。

6.如权利要求1-5中任意一项所述的水听器，其中，所述压阻结构位于所述薄膜的边缘。

7.如权利要求1-5中任意一项所述的水听器，其中，所述薄膜具有从矩形和圆形所组成的组中选择的形状。

8.如权利要求1-5中任意一项所述的水听器，其中，所述压电结构在所述薄膜上覆盖的区域的形状包括从以下各项构成的组中选择的至少一种：圆形和环形。

9.如权利要求8所述的水听器，其中，所述压电结构在所述薄膜上覆盖的区域包括位于所述薄膜中部的第一区域和不同于所述第一区域的第二区域，所述第一区域与所述第二区域间隔。

10.如权利要求9所述的水听器，其中，所述第一区域具有圆形形状，所述第二区域具有环绕所述第一区域的环形形状。

11.如权利要求9所述的水听器，其中，所述压阻结构在所述薄膜处分布的区域位于所述第二区域的外周边缘，并且与所述第二区域间隔。

12.一种水听器的制造方法，包括：

提供半导体衬底；

在所述半导体衬底的第一表面处形成压电结构和压阻结构，其中，所述压阻结构包括至少一个压敏电阻；以及

在所述半导体衬底的与所述第一表面相对的第二表面形成凹槽，从而使所述半导体衬底的至少一部分形成薄膜，所述凹槽关于所述薄膜与所述压阻结构和压电结构相对，其中，所述压电结构用于感测动态声压，所述压阻结构用于感测静态水压，并且其中，所述至少一个压敏电阻包括均匀分布在所述薄膜的表面处的四个压敏电阻，所述四个压敏电阻构成惠斯通电桥。

13.如权利要求12所述的方法，其中，所述压阻结构包括位于所述半导体衬底中的至少一个压敏电阻，并且其中，在所述半导体衬底的第一表面处形成压阻结构和压电结构包括：

对所述半导体衬底执行半导体掺杂工艺，以在所述第一表面处形成至少一个半导体掺杂区作为所述至少一个压敏电阻；

形成压电结构材料叠层，所述压电结构材料叠层覆盖所述第一表面；以及

图案化所述压电结构材料叠层，以形成所述压电结构并露出所述至少一个半导体掺杂区。

14.如权利要求12所述的方法，其中，所述压阻结构包括位于所述第一表面上的至少一个压敏电阻，并且其中，所述在所述半导体衬底的第一表面处形成压阻结构和压电结构包括：

形成压阻材料层，所述压阻材料层覆盖所述第一表面；

形成压电结构材料叠层，所述压电结构材料叠层覆盖所述压阻材料层；

图案化所述压电结构材料叠层，以形成所述压电结构并部分地露出所述压阻材料层；以及

图案化所述压阻材料层，以形成所述至少一个压敏电阻。