[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110504061.1 | 申请日: | 2021-05-10 |
公开(公告)号: | CN113889502A | 公开(公告)日: | 2022-01-04 |
发明(设计)人: | 李会官 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;H01L51/52 |
代理公司: | 北京英赛嘉华知识产权代理有限责任公司 11204 | 代理人: | 王达佐;刘铮 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
1.显示装置,包括:
显示面板,包括像素;以及
盖窗,设置在所述显示面板上,
其中,所述盖窗包括:
平坦部分,具有第一厚度;以及
折叠部分,具有小于所述平坦部分的所述第一厚度的第二厚度,所述折叠部分与所述平坦部分相邻,以及
所述盖窗的所述平坦部分的第一应力分布不同于所述盖窗的所述折叠部分的第二应力分布,所述第一应力分布是从所述盖窗的所述平坦部分的表面沿着深度方向的应力变化,所述第二应力分布是从所述盖窗的所述折叠部分的表面沿着所述深度方向的应力变化。
2.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述盖窗的所述折叠部分的所述第二厚度在20μm至30μm的范围内。
3.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述盖窗的所述平坦部分的所述表面上的表面压缩应力大于所述盖窗的所述折叠部分的所述表面上的表面压缩应力。
4.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述盖窗的所述平坦部分的所述表面上的表面压缩应力在650MPa至800MPa的范围内。
5.根据权利要求1所述的显示装置,其中:
所述盖窗的所述平坦部分的所述第一应力分布在第一区间中的梯度的绝对值大于在与所述第一区间相邻的第二区间中的梯度的绝对值,
所述第一区间是从所述盖窗的所述平坦部分的所述表面到第一过渡深度的区间,以及
所述第二区间是从所述第一过渡深度到第一压缩深度的区间。
6.根据权利要求5所述的显示装置,其中,所述第一压缩深度处的压缩应力为0,其中,所述第一压缩深度等于或大于所述盖窗的所述平坦部分的所述第一厚度的15%,其中,所述第一过渡深度小于所述盖窗的所述平坦部分的所述第一厚度的10%,其中,在所述第一区间中的所述梯度的所述绝对值大于35MPa/μm。
7.根据权利要求1所述的显示装置,其中,所述盖窗的所述折叠部分的所述表面上的表面压缩应力在400MPa至700MPa的范围内。
8.根据权利要求1所述的显示装置,其中,
所述盖窗的所述折叠部分的所述第二应力分布在第三区间中的梯度的绝对值大于在与所述第三区间相邻的第四区间中的梯度的绝对值,
所述第三区间是从所述盖窗的所述折叠部分的所述表面到第二过渡深度的区间,以及
所述第四区间是从所述第二过渡深度到第二压缩深度的区间。
9.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述盖窗的所述折叠部分的所述第二应力分布在等于或大于所述盖窗的所述折叠部分的所述第二过渡深度的区间中包括曲线。
10.根据权利要求8所述的显示装置,其中,所述第二压缩深度处的压缩应力为0,其中,所述第二压缩深度在所述盖窗的所述折叠部分的所述第二厚度的20%至25%的范围内,其中,所述第二过渡深度小于所述盖窗的所述折叠部分的所述第二厚度的20%,其中,在所述第三区间中的所述梯度的所述绝对值大于40MPa/μm。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的