[发明专利]多光谱光学传感器封装结构及其封装方法

权利要求书

1.一种多光谱光学传感器的封装结构，其特征在于，包括：

塑封层，具有相对的第一表面和第二表面；

第一芯片和第二芯片，嵌设于所述塑封层内，所述第一芯片内形成有第一光传感阵列，所述第二芯片内形成有信号处理电路；

所述塑封层第一表面贴覆有透光基板，所述透光基板至少包括第一光谱通道区域，所述第一芯片的第一光传感阵列在所述透光基板的投影位于所述第一光谱通道区域内，所述第一光谱通道区域内包括多个光谱通道；

所述塑封层的第二表面形成有互连层，所述互连层内具有电连接结构，用于电连接所述第一芯片和第二芯片；

所述第二芯片还形成有第二光传感阵列；所述第二芯片内的信号处理电路包括：第一光谱信号处理电路和第二光谱信号处理电路，所述第一光谱信号处理电路通过所述互连层电连接至所述第一芯片，用于读取和处理所述第一芯片产生的第一光传感信号；所述第二光谱信号处理电路通过所述互连层电连接至所述第二光传感阵列，用于读取和处理所述第二光传感阵列产生的第二传感信号；所述第一光传感阵列和所述第二光传感阵列分别用于感应不同波段的光。

2.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，第一芯片和第二芯片包括相对的第一表面和第二表面，所述第一芯片和第二芯片的第一表面朝向所述塑封层的第一表面；所述第一光传感阵列位于所述第一芯片的第一表面或第二表面；所述第二光传感阵列位于所述第二芯片的第一表面或第二表面。

3.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一光传感阵列用于感应非可见光，所述第二光传感阵列用于感应可见光。

4.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一光传感阵列的光传感材料包括InGaAs、量子点材料、石墨烯材料以及无定形硅中的至少一种；所述第二光传感阵列的光传感材料包括单晶硅。

5.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述透光基板还包括第二光谱通道区域，所述第二芯片的第二光传感阵列在所述透光基板的投影位于所述第二光谱通道区域内。

6.根据权利要求5所述的封装结构，其特征在于，所述透光基板包括基板主体，具有相对的第一表面和第二表面；所述第一光谱通道区域包括形成于所述基板主体的第一表面上的第一光谱通道膜层，所述第一光谱通道膜层包括至少两个光谱通道，用于通过与所述第一芯片的传感波段对应的光线；所述第二光谱通道区域包括形成于所述基板主体的第一表面上的第二光谱通道膜层，所述第二光谱通道膜层包括至少一个光谱通道，用于通过与所述第二芯片的传感波段对应的光线。

7.根据权利要求6所述的封装结构，其特征在于，所述透光基板还包括透镜阵列，形成于所述基板主体的第二表面上；所述透镜阵列中的单个透镜对应于一个或多个光谱通道。

8.根据权利要求1所述的封装结构，其特征在于，所述第一芯片和第二芯片的第二表面与所述塑封层的第二表面齐平；且，所述塑封层覆盖所述第一芯片和/或第二芯片的第一表面；或者，所述塑封层的第一表面与所述第一芯片、第二芯片中较高的芯片的第一表面齐平。