[发明专利]电介质、电子器件和层叠陶瓷电容器在审

专利信息
申请号: 202110494085.3 申请日: 2021-05-07
公开(公告)号: CN113628879A 公开(公告)日: 2021-11-09
发明(设计)人: 斋藤裕太;萩原智也 申请(专利权)人: 太阳诱电株式会社
主分类号: H01G4/12 分类号: H01G4/12;H01G4/30
代理公司: 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 代理人: 龙淳;周琴
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 电介质 电子器件 层叠 陶瓷 电容器
【权利要求书】:

1.一种电介质,包括:

具有双晶结构的核-壳粒子,

其中,所述核-壳粒子的双晶结构的界面从一侧的壳延伸,穿过核,并延伸到另一侧的壳。

2.根据权利要求1所述的电介质,其中所述双晶结构的界面接触所述核-壳粒子的晶界。

3.根据权利要求1或2所述的电介质,其中所述电介质中的核-壳粒子的数量相对于晶粒的比例为2%以上且20%以下。

4.根据权利要求1至3中任一项所述的电介质,其中所述核-壳粒子的主要成分是Ba和Ti的氧化物。

5.根据权利要求1至4中任一项所述的电介质,其中所述核-壳粒子包括稀土元素的氧化物并且包括Mg、V、Mn、Zr和Cr的氧化物中的至少一种。

6.根据权利要求1至3中任一项所述的电介质,其还包括:

在设所述电介质的主要成分陶瓷的量为100mol%且稀土元素Re换算为Re2O3时,1.75mol%至3.50mol%的稀土元素Re的氧化物,其中Re表示稀土元素中的至少一种;和

在设所述电介质的主要成分陶瓷的量为100mol%且Mg、V、Mn、Zr和Cr的氧化物换算为MgO、MnO2、ZrO2、V2O5和Cr2O3时,总量为0.02mol%至2.05mol%的Mg、V、Mn、Zr和Cr的氧化物。

7.根据权利要求1至6中任一项所述的电介质,其还包括Si的氧化物。

8.根据权利要求7所述的电介质,其还包括在设所述电介质的主要成分陶瓷的量为100mol%且Si换算为SiO2时,0.25mol%至2.50mol%的Si的氧化物。

9.一种电子器件,其包括根据权利要求1至8中任一项所述的电介质。

10.一种层叠陶瓷电容器,其包括:

层叠结构,其中电介质层中的每一个与内部电极层中的每一个交替堆叠,每个电介质层包括具有双晶结构的核-壳粒子,

其中,所述核-壳粒子的双晶结构的界面从一侧的壳延伸,穿过核,并延伸到另一侧的壳。

11.根据权利要求10所述的层叠陶瓷电容器,其中所述双晶结构的界面接触所述核-壳粒子的晶界。

12.根据权利要求10或11所述的层叠陶瓷电容器,其中在所述电介质层中的一个电介质层中,核-壳粒子相对于晶粒的比例为2%以上且20%以下。

13.根据权利要求10至12中任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中所述核-壳粒子的主要成分是Ba和Ti的氧化物。

14.根据权利要求10至13中任一项所述的层叠陶瓷电容器,其中所述核-壳粒子包括稀土元素的氧化物且包括Mg、V、Mn、Zr和Cr的氧化物中的至少一种。

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