[发明专利]压电换能器制作方法及压电换能器

权利要求书

1.一种压电换能器制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供承载晶圆，采用氧化镀膜或者外延镀膜方法在所述承载晶圆上制备底部声学反射层，对所述底部声学反射层进行图案化；所述底部声学反射层包括底部高声阻抗层和底部低声阻抗层，所述底部高声阻抗层和所述底部低声阻抗层具有不同的厚度；

提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备顶部声学反射层，对所述顶部声学反射层进行图案化；所述顶部声学反射层和所述底部声学反射层均用于限制声学振动；

将所述底部声学反射层远离所述承载晶圆的一侧与所述顶部声学反射层远离所述压电晶圆的一侧结合；

减薄所述压电晶圆，形成压电换能器；

所述提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备顶部声学反射层之后，所述将所述底部声学反射层远离所述承载晶圆的一侧与所述顶部声学反射层远离所述压电晶圆的一侧结合之前，还包括：

对所述底部声学反射层远离所述承载晶圆的一侧，以及所述顶部声学反射层远离所述压电晶圆的一侧进行平整化处理，所述平整化处理包括减薄和抛光；

所述顶部声学反射层还包括顶部低声阻抗层和顶部高声阻抗层，所述顶部高声阻抗层的数量和所述顶部低声阻抗层的数量之和为奇数；所述压电晶圆上的最后一层与所述承载晶圆的层堆栈上最上层的材料相同。

2.根据权利要求1所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备顶部声学反射层包括：

提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备底部电极层；

在所述压电晶圆上制备覆盖所述底部电极层的顶部声学反射层。

3.根据权利要求1所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述底部高声阻抗层的数量和所述底部低声阻抗层的数量之和为奇数；所述提供承载晶圆，在所述承载晶圆上制备底部声学反射层包括：

提供承载晶圆，在所述承载晶圆一侧制备交替设置的所述底部高声阻抗层和所述底部低声阻抗层。

4.根据权利要求3所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述顶部声学反射层包括顶部低声阻抗层，所述提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备顶部声学反射层，包括：

提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备所述顶部低声阻抗层。

5.根据权利要求3所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备顶部声学反射层，包括：

提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备交替设置的所述顶部低声阻抗层和所述顶部高声阻抗层。

6.根据权利要求5所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述底部声学反射层最远离所述承载晶圆的一层为所述底部低声阻抗层，且所述顶部声学反射层中最远离所述压电晶圆的一层为所述顶部低声阻抗层；或者所述底部声学反射层最远离所述承载晶圆的一层为所述底部高声阻抗层，且所述顶部声学反射层中最远离所述压电晶圆的一层为所述顶部高声阻抗层。

7.根据权利要求1所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述将所述底部声学反射层远离所述承载晶圆的一侧与所述顶部声学反射层远离所述压电晶圆的一侧结合，包括：

提供键合界面层，将所述底部声学反射层远离所述承载晶圆的一侧与所述顶部声学反射层远离所述压电晶圆的一侧通过所述键合界面层结合。

8.根据权利要求1-7任意一项所述的压电换能器制作方法，其特征在于，所述提供压电晶圆，在所述压电晶圆上制备顶部声学反射层，包括：

提供压电晶圆，对所述压电晶圆进行离子注入，在经过所述离子注入之后的压电晶圆上制备顶部声学反射层。

9.一种压电换能器，其特征在于，根据权利要求1-8任意一项所述的方法制成。