[发明专利]阵列基板制造方法及显示面板制造方法

说明书

本申请涉及显示面板制造技术，公开了阵列基板制造方法及显示面板制造方法，阵列基板制造方法包括：在基板上沉积遮光层、缓冲层、第一金属层和欧姆接触层；进行第一次光罩制程，形成遮光层图案、缓冲层图案、第一金属层图案和欧姆接触层图案；在经过第一次光罩制程后的基板上沉积有源层、绝缘层和第二金属层；进行第二次光罩制程，形成有源层图案、绝缘层图案和第二金属层图案；在经过第二次光罩制程后的基板上沉积钝化层；进行第三次光罩制程，形成第一导电过孔，第二导电过孔和第三导电过孔以及氧化铟锡层图案。显示面板制造方法，采用了上述的阵列基板制造方法。本申请公开的阵列基板制造方法及显示面板制造方法，工艺流程简单，成本低廉。

技术领域

本申请涉及显示面板制造技术领域，特别涉及阵列基板制造方法及显示面板制造方法。

背景技术

在采用光刻的方法制造阵列基板时，光罩成本高，现有对阵列基板的制造，多采用四道、五道或者更多道的光罩，成本高昂。

上述内容仅用于辅助理解本申请的技术方案，并不代表承认上述内容是现有技术。

发明内容

本申请的主要目的是提供阵列基板制造方法及显示面板制造方法，旨在解决现有技术中制造成本高的技术问题。

为实现上述目的，本申请提出的阵列基板制造方法，该阵列基板制造方法包括如下步骤：

在基板上依次沉积遮光层、缓冲层、第一金属层和欧姆接触层；

对沉积有遮光层、缓冲层、第一金属层和欧姆接触层的基板进行第一次光罩制程，以在基板上形成遮光层图案、缓冲层图案、第一金属层图案和欧姆接触层图案，并清除所述第一次光罩制程中形成的第一光刻胶图案；

在经过第一次光罩制程后的基板上依次沉积有源层、绝缘层和第二金属层；

对沉积有有源层、绝缘层和第二金属层的基板进行第二次光罩制程，以在基板上形成有源层图案、绝缘层图案和第二金属层图案，并清除所述第二次光罩制程中形成的第二光刻胶图案；

在经过第二次光罩制程后的基板上沉积钝化层；

对沉积有钝化层的基板进行第三次光罩制程，以在待形成薄膜晶体管的区域内形成连通第一金属层图案的第一导电过孔，在待形成绑定模块的区域内形成连通第一金属层图案的第二导电过孔和连通第二金属层图案的第三导电过孔，以及在形成第一导电过孔、第二导电过孔和第三导电过孔后的基板上形成氧化铟锡层图案，并清除所述第三次光罩制程中形成的第三光刻胶图案。

可选地，采用半色调掩膜工艺进行第一次光罩制成，形成的第一金属层图案包括待形成薄膜晶体管的区域内的源极和漏极以及待形成绑定模块的区域内的第一绑定走线，源极和漏极由沟道分隔，第一导电过孔连通源极，第二导电过孔连通第一绑定走线。

可选地，第一次光罩制程中，包括步骤：

在欧姆接触层表面涂布第一光刻胶层；

采用第一光罩，通过半色调掩膜使第一光刻胶层形成第一光刻胶图案，其中，第一光刻胶图案包括第一部分保留区、第一全保留区和第一全刻蚀区，第一部分保留区对应待形成沟道的区域，第一全保留区对应待形成源极、待形成漏极、待形成电容以及待形成绑定模块的区域，第一全刻蚀区对应除第一部分保留区和第一全保留区外的其他区域；

根据第一光刻胶图案对欧姆接触层、第一金属层、缓冲层和遮光层进行刻蚀，以在基板上形成遮光层图案、缓冲层图案、欧姆接触层图案以及第一金属层图案；

形成遮光层图案、缓冲层图案、欧姆接触层图案以及第一金属层图案后，清除第一光刻胶图案。

可选地，根据第一光刻胶图案对欧姆接触层、第一金属层、缓冲层和遮光层进行刻蚀的步骤中，包括步骤：