[发明专利]测试电路、测试设备以及测试电路测试方法

说明书

本申请实施例提供一种测试电路、测试设备以及测试电路测试方法。测试电路包括电源、第一开关、第二开关、电感、二极管和测试端。所述第一开关和第二开关依次串联于所述电源的正极和负极之间。所述第一开关和所述第二开关依次串联于所述电源的正极和负极之间。所述电感包括第一端和第二端。所述电感的第一端连接于所述第一开关和所述第二开关之间。所述二极管的阴极连接于所述电源的正极。所述二极管的阳极连接于所述电感的第二端。所述测试端的一端与所述电感的第二端连接。所述测试端的另一端与所述电源的负极连接。所述测试端用于测试被测IGBT芯片。

技术领域

本申请涉及测试领域，特别是涉及一种测试电路、测试设备以及测试电路测试方法。

背景技术

IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor)即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大。MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。因此绝缘栅双极型晶体管非常适合应用于变流系统如高压变频器、高压静止无功发生器、机车车辆牵引变流器、风力发电变流器、轻型直流输电等领域。

IGBT的应用如此广泛，所以对IGBT的性能测试变得尤为重要。能够体现IGBT性能的主要有静态参数和动态参数。但是，现有的测试设备测试效率较低，这都影响了工作效率。

发明内容

基于此，有必要针对上述问题，提供一种测试电路、测试设备以及测试电路测试方法。

一种测试电路，包括：

电源；

第一开关和第二开关，所述第一开关和所述第二开关依次串联于所述电源的正极和负极之间；

电感，所述电感包括第一端和第二端，所述电感的第一端连接于所述第一开关和所述第二开关之间；

二极管，所述二极管的阴极连接于所述电源的正极，所述二极管的阳极连接于所述电感的第二端；以及

测试端，所述测试端的一端与所述电感的第二端连接，所述测试端的另一端与所述电源的负极连接，所述测试端用于测试被测IGBT芯片。

在一个实施例中，还包括：

第三开关，所述第三开关的一端与所述电源正极连接，所述第三开关的负极与所述二极管的负极连接。

在一个实施例中，所述第一开关、所述第二开关和所述第三开关中的一个或多个为绝缘栅双极型晶体管。

在一个实施例中，还包括控制电路，所述控制电路分别与所述电源、所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关以及插接于所述测试端的被测IGBT芯片连接，所述控制电路用于控制所述电源、所述第一开关、所述第二开关、所述第三开关以及插接于所述测试端的被测IGBT芯片的工作状态。

在一个实施例中，所述电源包括电容，所述电容的正极板作为所述电源的正极，所述电容的负极板作为所述电容的负极，所述第一开关、所述第二开关依次串联于所述电容的正极板和负极板。

一种测试设备，包括所述的测试电路。

一种测试电路的测试方法，所述测试电路包括：

电源；

第一开关和第二开关，所述第一开关、第二开关和第三开关依次串联于所述电源的正极和负极之间；

电感，所述电感包括第一端和第二端，所述第一端连接于所述第一开关和所述第二开关之间；