[发明专利]连接材料在审
申请号: | 202110483681.1 | 申请日: | 2016-09-14 |
公开(公告)号: | CN113410671A | 公开(公告)日: | 2021-09-17 |
发明(设计)人: | 深谷达朗;石松朋之 | 申请(专利权)人: | 迪睿合株式会社 |
主分类号: | H01R11/01 | 分类号: | H01R11/01;H01B1/00;H01B1/22 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 童春媛;初明明 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 连接 材料 | ||
1.连接结构体的制造方法,其具有:
在第一电路构件上,经由含有导电性粒子的连接材料搭载第二电路构件的工序,和
通过压接工具加热按压上述第二电路构件,使上述连接材料固化的工序;
上述导电性粒子具有:树脂粒子、覆盖上述树脂粒子的第一导电性被膜、多个配置在上述第一导电性被膜上的维氏硬度为1500~5000的突起芯材、和覆盖上述第一导电性被膜和上述突起芯材以形成多个从第一导电性被膜隆起的突起的第二导电性被膜,
上述连接材料的最低溶融粘度为1~100000Pa·s,
其中,上述第一导电性被膜的膜厚为5nm以上,上述第一导电性被膜与上述第二导电性被膜的合计的膜厚为100nm以上且500nm以下,上述突起芯材的平均粒径为50nm以上且300nm以下。
2.权利要求1所述的连接结构体的制造方法,其中,上述突起芯材是含有选自钨、钛、钽、硼中的一种以上的金属碳化物、金属碳氮化物或金属陶瓷。
3.权利要求1所述的连接结构体的制造方法,其中,上述第一导电性被膜与第二导电性被膜的合计的膜厚为100nm以上且200nm以下,
上述第一导电性被膜的膜厚为5nm以上且100nm以下。
4.权利要求1所述的连接结构体的制造方法,其中,上述第一导电性被膜的维氏硬度为300~1200。
5.权利要求1所述的连接结构体的制造方法,其中,上述第一导电性被膜为镍镀敷。
6.权利要求1~5中任一项所述的连接结构体的制造方法,其中,该连接材料为各向异性导电膜。
7.连接结构体,其具备:第一电路构件、第二电路构件、和将上述第一电路构件与上述第二电路构件连接的连接固化膜,
上述连接固化膜具备导电性粒子,所述导电性粒子具有:树脂粒子、覆盖上述树脂粒子的第一导电性被膜、多个配置在上述第一导电性被膜上的维氏硬度为1500~5000的突起芯材、和覆盖上述第一导电性被膜和上述突起芯材以形成多个从第一导电性被膜隆起的突起的第二导电性被膜,
其中,上述第一导电性被膜的膜厚为5nm以上,上述第一导电性被膜与上述第二导电性被膜的合计的膜厚为100nm以上且500nm以下,上述突起芯材的平均粒径为50nm以上且300nm以下。
8.权利要求7所述的连接结构体,其中,将上述第一电路构件与上述第二电路构件连接的连接材料为各向异性导电膜。
9.连接材料,其含有导电性粒子,且最低溶融粘度为1~100000Pa·s,所述导电性粒子具有:树脂粒子、覆盖上述树脂粒子的第一导电性被膜、多个配置在上述第一导电性被膜上的维氏硬度为1500~5000的突起芯材、以及覆盖上述第一导电性被膜和上述突起芯材以形成多个从第一导电性被膜隆起的突起的第二导电性被膜,
其中,上述第一导电性被膜的膜厚为5nm以上,上述第一导电性被膜与上述第二导电性被膜的合计的膜厚为100nm以上且500nm以下,上述突起芯材的平均粒径为50nm以上且300nm以下。
10.权利要求9所述的连接结构体的制造方法,其中,上述连接材料为各向异性导电膜。
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