[发明专利]一种基于CuV2

权利要求书

1.一种基于CuV₂O₆的光电传感器，其特征在于，具体由如下步骤制备得到：利用直流磁控反应共溅射法，在磁控溅射仪上安装靶材和基底，控制磁控溅射仪的腔体氛围和压力，设置靶材功率和基底温度后开始预溅射，待辉光稳定后打开基底挡板开始沉积，沉积结束后将样品取出，样品在空气氛围中煅烧后得到CuV₂O₆薄膜，将所得CuV₂O₆薄膜放置在匀胶机上，利用旋涂法将8-羟基喹啉溶液负载在CuV₂O₆薄膜上，得到8-羟基喹啉修饰的CuV₂O₆光电传感器；所述的靶材为金属Cu和金属V，溅射功率源为直流电源，磁控溅射仪的腔体氛围为氩气和氧气的混合气，溅射模式为Cu、V共溅射，基底为FTO玻璃；所述的金属Cu的溅射功率为10～50W，所述的金属V的溅射功率为100～500W，预溅射压力为0.5～2.5Pa，基底温度为100℃～400℃，工件架转速为5～30r/min，预溅射时间为300～1200s，沉积时间为1000～6000s，煅烧温度为200℃～550℃，煅烧时间为0.5～2h。

2.根据权利要求1所述的基于CuV₂O₆的光电传感器，其特征在于，所述的8-羟基喹啉溶液通过如下步骤制备：将8-羟基喹啉溶解在乙醇中配置成浓度为100～1400mmol/L的溶液，然后和质量分数为1～10％的Nafion以9:1的体积比混合得到所述的8-羟基喹啉溶液。

3.根据权利要求2所述的基于CuV₂O₆的光电传感器，其特征在于，所述的8-羟基喹啉溶液的滴加量为10～40μL，匀胶机转速为500～2000r/min，旋转时间为9～40s。

4.权利要求1所述的基于CuV₂O₆的光电传感器在精氨酸检测中的应用。

5.根据权利要求4所述的基于CuV₂O₆的光电传感器在精氨酸检测中的应用，其特征在于，包括如下步骤：将所述的光电传感器浸入含有不同浓度精氨酸的硼酸盐缓冲液中孵育后取出，采用三电极体系测试传感器的电极光电流，绘制光电流密度与精氨酸浓度的拟合工作曲线，再采用标准加入法对待测样品中的精氨酸进行检测。

6.根据权利要求5所述的基于CuV₂O₆的光电传感器在精氨酸检测中的应用，其特征在于，所述的孵育时间为10～120min。

7.根据权利要求5所述的基于CuV₂O₆的光电传感器在精氨酸检测中的应用，其特征在于，采用三电极体系测试传感器的电极光电流在0.9～1.6V vs RHE的电压下进行。