[发明专利]一种覆晶薄膜封装器件的加工方法在审
申请号: | 202110474511.7 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113380642A | 公开(公告)日: | 2021-09-10 |
发明(设计)人: | 陈纬铭 | 申请(专利权)人: | 厦门通富微电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L21/78;H01L23/24 |
代理公司: | 深圳市威世博知识产权代理事务所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 黎坚怡 |
地址: | 361000 福建省厦门市中国(福建)自由贸易试验区*** | 国省代码: | 福建;35 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 薄膜 封装 器件 加工 方法 | ||
1.一种覆晶薄膜封装器件的加工方法,其特征在于,包括:
在基板的至少部分侧面设置限位件,其中,所述限位件用于抑制所述基板变形;
在所述基板的第一表面形成多个封装单元,每个所述封装单元内设置有至少一个芯片;
对所述基板进行切割以分裂相邻所述封装单元,进而获得单颗覆晶薄膜封装器件。
2.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,
在所述第一表面的长度方向上,所述基板包括相对设置的第一侧面和第二侧面;所述在基板的至少部分侧面设置限位件的步骤,包括:
将所述基板设置于操作台上;
将多个所述限位件设置于所述操作台上,且部分所述限位件与至少部分所述第一侧面抵顶,部分所述限位件与至少部分所述第二侧面抵顶。
3.根据权利要求2所述的加工方法,其特征在于,所述基板还包括第二表面;
在所述第一表面的长度方向上,所述基板包括多个贯通所述第一表面和所述第二表面的定位孔,其中,所述定位孔用于将所述基板固定设置于操作台上。
4.根据权利要求3所述的加工方法,其特征在于,
在所述第一表面的宽度方向上,所述基板包括相对设置的第三侧面和第四侧面;所述将多个所述限位件设置于所述操作台上时,部分所述限位件与至少部分所述第三侧面抵顶,部分所述限位件与至少部分所述第四侧面抵顶。
5.根据权利要求4所述的加工方法,其特征在于,
所述基板包括四个角部,所述将多个所述限位件设置于所述操作台上时,每个所述角部均设置有所述限位件。
6.根据权利要求5所述的加工方法,其特征在于,
位于所述角部且分别与相邻的两个侧面抵顶的两个所述限位件相互连接。
7.根据权利要求1-6任一项所述的加工方法,其特征在于,
所述限位件面向所述基板的表面设置有台阶部,所述将多个所述限位件设置于所述操作台上时,所述台阶部的底面与所述基板的部分侧面抵顶,所述台阶部的侧面与所述基板的第一表面抵顶。
8.根据权利要求2所述的加工方法,其特征在于,所述第一侧面和所述第二侧面分别具有从所述限位件中露出的第一区域和第二区域;所述将所述基板设置于操作台上的步骤之后,还包括:
将多个限位块设置于所述操作台上,且部分所述限位块与至少部分所述第一区域抵顶,部分所述限位块与至少部分所述第二区域抵顶。
9.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述在所述基板的第一表面形成多个封装单元,每个所述封装单元内设置有至少一个芯片的步骤包括:
在所述第一表面形成引线层,其中,所述引线层设置有第一开口;
在所述引线层背离所述基板一侧形成阻焊层,且所述阻焊层在所述第一开口对应位置处设置有第二开口,其中,所述第一开口与所述第二开口连通,且所述第二开口的平均宽度大于所述第一开口的平均宽度;
在所述引线层背离所述基板一侧固定设置芯片,其中,所述芯片与所述引线层电连接;
在所述第一表面形成塑封体,其中,所述塑封体填充所述第一开口和所述第二开口,且覆盖至少部分所述芯片以及至少部分所述阻焊层。
10.根据权利要求1所述的加工方法,其特征在于,所述对所述基板进行切割以分裂相邻所述封装单元,进而获得单颗覆晶薄膜封装器件的步骤之后,还包括:去除所述限位件。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于厦门通富微电子有限公司,未经厦门通富微电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110474511.7/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种产品检测方法、系统以及计算机可读存储介质
- 下一篇:一种压铸件制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造