[发明专利]一种钐钴稀土磁体及其制备方法有效
申请号: | 202110472240.1 | 申请日: | 2021-04-29 |
公开(公告)号: | CN113388757B | 公开(公告)日: | 2022-04-29 |
发明(设计)人: | 吴茂林;师大伟;王国雄;傅忠伟 | 申请(专利权)人: | 福建省长汀卓尔科技股份有限公司;厦门钨业股份有限公司 |
主分类号: | C22C19/07 | 分类号: | C22C19/07;C22C1/02;B22F3/16;H01F1/055;H01F41/02 |
代理公司: | 厦门加减专利代理事务所(普通合伙) 35234 | 代理人: | 李强;杨泽奇 |
地址: | 366300 福建省龙*** | 国省代码: | 福建;35 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 稀土 磁体 及其 制备 方法 | ||
本发明涉及永磁材料技术领域,特别涉及一种钐钴稀土磁体及其制备方法,其中,所述钐钴稀土磁体制备方法中的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段,所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa~15kPa,熔炼温度从常温升温至T1,所述T1为1050℃~1100℃;所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa~50kPa,熔炼温度从T2升温至T3,所述T2为1050℃~1100℃,所述T3为1250℃~1350℃;所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa~90kPa,熔炼温度从T4升温至T5,所述T4为1250℃~1350℃,所述T5为1500℃~1600℃。本发明通过采用分段加压的熔炼方式以减小熔炼过程中钐的挥发量,从而得到高性能的钐钴磁体。
技术领域
本发明涉及永磁材料技术领域,特别涉及一种钐钴稀土磁体及其制备方法。
背景技术
钐钴磁铁,是一种稀土磁铁,是由钐、钴和其它金属稀土材料经配比,熔炼成合金,经粉碎、压型、烧结后制成的一种磁性功能材料,其中,高性能钐钴材料以其优异的高温磁性能在航空航天等军工领域及汽车、高铁驱动电机等民用领域有重要的应用。
如公开号为CN109859945A,公开日为2019年6月7日,名称为《一种高温钐钴永磁材料的制备方法》的专利文件所公开的钐钴永磁材料首先按照Sm(Co1-u-v-wCuuFevZrw)z进行配料,其中u=0.082-0.088,v=0.093-0.143,w=0.027-0.028和z=6.2-6.5,将配得的原材料置入真空感应熔炼炉进行熔炼,得到成分均匀的合金锭;后将合金锭经过气流磨破碎得到粒度SDM=3.2-3.8μm范围内的合金粉末;接着将粉末经过磁场取向压制和等静压得到生坯;最后将生坯进行多段式烧结、固溶和时效处理;其制得的2:17型钐钴永磁材料可耐500℃高温。
但现有钐钴稀土磁体材料的制备工艺中由于铸造成分偏析,钐含量分布不均,凝固组织杂相多等原因,存在磁体剩磁低,退磁曲线方形度差的问题。
发明内容
为解决上述背景技术中提及的,现有钐钴稀土磁体材料的制备工艺由于铸造成分偏析,钐含量分布不均,凝固组织杂相多等原因,存在磁体剩磁低,退磁曲线方形度差的问题,本发明提供一种钐钴稀土磁体的制备方法,其中,所述钐钴稀土磁体的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段,
所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa~15kPa,所述第一熔炼阶段的熔炼温度从常温升温至T1,所述T1为1050℃~1100℃;
所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa~50kPa,所述第二熔炼阶段的熔炼温度从T2升温至T3,所述T2为1050℃~1100℃,所述T3为1250℃~1350℃;
所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa~90kPa,所述第三熔炼阶段的熔炼温度从T4升温至T5,所述T4为1250℃~1350℃,所述T5为1500℃~1600℃。
在上述方案的基础上,进一步地,所述熔炼的方式为中频感应熔炼。
在上述方案的基础上,进一步地,所述熔炼过程的压力气氛为惰性气体气氛。
在上述方案的基础上,进一步地,所述钐钴稀土磁体按照RxFeyCo1-x-y-p-qCupMq进行配料,其中,R仅是Sm或者是含有Sm的2种以上的稀土元素;M元素为Zr、Ti、Hf元素中的至少一种;
且0.11≤x≤0.12,0.15≤y≤0.35,0.04≤p≤0.075,0.01≤q≤0.035,并满足0.05≤p+q≤0.11,7.5≤(1-x)/x≤8.0,1.5≤p/q≤4.5。
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