[发明专利]一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统和方法

说明书

本发明公开了一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统和方法，包括待测模块、电容充放电主电路模块、驱动电路模块和数据采集与处理模块，所述待测模块包括待测薄膜电容器和额外薄膜小电容，所述待测薄膜电容器和所述额外薄膜小电容串联连接，所述电容充放电主电路包括一个或多个开关管，所述驱动电路模块能够通过所述电容充放电主电路控制所述待测模块充电或放电，所述数据采集与处理模块能够采集电流数据并进行处理。本发明的薄膜电容器寄生电感参数的测量系统和方法能够实现快速测量薄膜电容器寄生电感参数。

技术领域

本发明涉及寄生参数测量领域，具体涉及一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统。

背景技术

在实际电路中，电容元器件存在着多种分布参数,其中对电容本身特性影响最大的是寄生电感，这些寄生电感的电感特性使得电容在使用时有一定的局限性。在开关电路中，换流回路的寄生电感就扮演着非常重要的角色。根据寄生电感的电感量和电流变化率di/dt，器件在开关状态时要承受额外的电压应力，极端条件可能会造成器件的损坏。换流回路中直流母线电容的寄生电感就是影响因素之一，因此能够测量出电容本身寄生电感的大小，可以在使用时更合理的选择电容元器件。由于电容器寄生电感的电感量很小，一般为nH级别，导绝大部分LCR电桥无法测量电容本身的寄生电感。对于电容的寄生电感参数测量方法主要是利用电容自谐振原理进行测量，但由于电容的电容值与待测寄生电感的电感值都不是确定的，因此测量设备需要提供极大的电压频率范围，而且测量过程需要检测和采集电容元件发生自谐振时对应的频率，这都不利于快速与精准测量。

发明内容

为了解决现有技术的问题，本发明提供了一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统，技术方案如下：

一方面，本发明提供了一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统，包括：

待测模块，所述待测模块包括待测薄膜电容器和额外薄膜小电容，所述待测薄膜电容器和所述额外薄膜小电容串联连接；

电容充放电主电路模块，所述电容充放电主电路与所述待测模块相连接，所述电容充放电主电路包括一个或多个开关管；

驱动电路模块，所述驱动电路模块与所述电容充放电主电路模块连接，所述驱动电路模块能够发出驱动信号控制所述开关管导通或关闭，从而控制所述待测模块充电或放电；

数据采集与处理模块，所述数据采集与处理模块分别与所述电容充放电主电路模块和所述驱动电路模块连接，所述数据采集与处理模块能够控制所述驱动电路模块发出信号，所述数据采集与处理模块能够采集所述待测模块的电流数据、对所述电流数据进行处理并得到处理结果。

进一步地，所述数据采集与处理模块包括：

采集电路，所述采集电路与所述电容充放电主电路模块连接，所述采集电路用于采集所述待测模块的电流数据；

数据处理单元，所述数据处理单元与所述采集电路连接，所述数据处理单元对所述电流数据进行处理并得到处理结果；

信号控制单元，所述信号控制单元与所述驱动电路模块电连接，所述信号控制单元能够控制所述驱动电路模块发出信号。

进一步地，所述开关管为MOSFET开关管。

进一步地，所述驱动电路模块包括：

反向施密特触发器，所述反向施密特触发器与所述信号控制单元连接，所述反向施密特触发器能够将所述信号控制单元发出的常高状态信号转换为常低状态信号，或者，所述反向施密特触发器能够将所述信号控制单元发出的常低状态信号转换为常高状态信号；

驱动器，所述驱动器与所述电容充放电主电路模块连接，所述驱动器与所述反向施密特触发器连接，所述驱动器能够基于常低或常高状态信号发出相应的驱动信号。