[发明专利]一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统和方法

权利要求书

1.一种薄膜电容器寄生电感参数的测量系统，其特征在于，包括：

待测模块，所述待测模块包括待测薄膜电容器和额外薄膜小电容，所述待测薄膜电容器和所述额外薄膜小电容串联连接；

电容充放电主电路模块，所述电容充放电主电路与所述待测模块相连接，所述电容充放电主电路包括一个或多个开关管；

驱动电路模块，所述驱动电路模块与所述电容充放电主电路模块连接，所述驱动电路模块能够发出驱动信号控制所述开关管导通或关闭，从而控制所述待测模块充电或放电；

数据采集与处理模块，所述数据采集与处理模块分别与所述电容充放电主电路模块和所述驱动电路模块连接，所述数据采集与处理模块能够控制所述驱动电路模块发出信号，所述数据采集与处理模块能够采集所述待测模块的电流数据、对所述电流数据进行处理并得到处理结果。

2.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述数据采集与处理模块包括：

采集电路，所述采集电路与所述电容充放电主电路模块连接，所述采集电路用于采集所述待测模块的电流数据；

数据处理单元，所述数据处理单元与所述采集电路连接，所述数据处理单元对所述电流数据进行处理并得到处理结果；

信号控制单元，所述信号控制单元与所述驱动电路模块电连接，所述信号控制单元能够控制所述驱动电路模块发出信号。

3.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述开关管为MOSFET开关管。

4.如权利要求2所述的测量系统，其特征在于，所述驱动电路模块包括：

反向施密特触发器，所述反向施密特触发器与所述信号控制单元连接，所述反向施密特触发器能够将所述信号控制单元发出的常高状态信号转换为常低状态信号，或者，所述反向施密特触发器能够将所述信号控制单元发出的常低状态信号转换为常高状态信号；

驱动器，所述驱动器与所述电容充放电主电路模块连接，所述驱动器与所述反向施密特触发器连接，所述驱动器能够基于常低或常高状态信号发出相应的驱动信号。

5.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述采集电路中设有电流霍尔传感器，所述采集电路通过设在所述采集电路中的所述电流霍尔传感器采集电流。

6.如权利要求1所述的测量系统，其特征在于，所述额外薄膜小电容的电容为0～500μF。

7.如权利要求6所述的测量系统，其特征在于，所述额外薄膜小电容的电容为3.3～325μF。

8.如权利要求2所述的测量系统，其特征在于，所述信号控制单元和所述数据处理单元均由FPGA实现。

9.一种薄膜电容器寄生电感参数的测量方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤：

S1.将待测薄膜电容器与额外薄膜小电容器串联，使用直流源为待测薄膜电容器与额外薄膜小电容器充电；

S2.断开直流源使得待测薄膜电容器通过导通的开关管回路进行放电，采集并记录放电前后流过待测薄膜电容器中的电流数据；

S3.将两个相同的待测薄膜电容器与额外薄膜小电容器串联，并使用直流源进行充电，再重复步骤S2；

S4.将步骤S2和步骤S3中的数据分别代入公式中得到两个方程，联立所述的两个方程，求解得出待测薄膜电容器寄生电感的电感值，其中，T为电容振荡放电的周期，L为回路的电感值，C为回路的电容值。

10.如权利要求9所述的测量方法，其特征在于，在所述步骤S2中，对采集到的电流数据进行非线性曲线拟合，从而求得电容振荡放电的周期T。