[发明专利]太鼓环去除方法及用于太鼓环去除的定位装置

说明书

本发明公开了一种太鼓环去除方法,采用太鼓工艺对晶圆进行加工减薄，将所述晶圆的中间部分减薄至预设厚度，所述晶圆的边缘部分形成太鼓环；步骤S2，将所述晶圆固定至框架上；步骤S3，将所述框架放置在切割设备台盘上，使用定位装置对所述晶圆进行定位；本发明还公开了一种用于太鼓环去除的定位装置。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路的制造方法，特别是涉及一种太鼓(Taiko)环去除方法及其定位装置。

背景技术

半导体集成电路技术的发展，晶圆越来越薄，晶圆减薄除了有效减少后续封装材料体积外，还可降低导通阻抗，进而减少热能累积效应，以增加芯片的使用寿命。但如何在减薄工艺中降低晶圆厚度，又同时兼顾晶圆强度，降低破损率，是晶圆加工工艺所研究的技术重点之一。

日本Disco公司开发了一种太鼓(Taiko)减薄工艺，于以往的背面研磨不同，在对晶圆进行研磨时，将保留晶圆外围边缘部分(约3mm左右)，只对圆内进行研磨。在晶圆外圈形成较厚的环，被称为太鼓(Taiko)环。这样在晶圆后续的搬运和加工过程中，利用这圈较厚的环来保持整个晶圆的机械强度。然后在后续工艺步骤中需要去除太鼓环，现有技术中公开了多种去除太鼓环的方法，来防止切割太鼓环时导致晶圆破碎，例如公开文献CN104517804B、CN104934309B、CN105428220A、CN112475627A。然而现有技术仅关注了切割去除时的晶圆破碎问题，并未关注在切割前晶圆定位过程中的破损问题，以及在有切割膜贴附情况下定位不精准的技术问题。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是，在太鼓环去除工艺步骤中防止晶圆在定位过程中破损。

本发明提供一种太鼓环去除方法，包括：

步骤S1，采用太鼓工艺对晶圆进行加工减薄，将所述晶圆的中间部分减薄至预设厚度，所述晶圆的边缘部分形成太鼓环；

步骤S2，将所述晶圆固定至框架上；

步骤S3，将所述框架放置在切割设备台盘上，使用定位装置对所述晶圆进行定位；

所述定位装置包括相机，控制单元，移动单元；所述相机拍摄所述晶圆多个不同边缘的照片；所述控制单元利用所述照片信息计算所述晶圆的中心位置，并计算与切割所需要的预设中心位置的偏差；所述移动单元在所述控制单元控制下，移动所述框架，使所述晶圆的中心位置移动至切割所需要的预设中心位置；所述移动单元移动所述框架时，仅与所述框架接触连接；

步骤S4，将所述太鼓环切割去除。

优选地，所述步骤S2中，通过贴附切割膜将所述晶圆固定至所述框架上，所述切割膜的一面与所述框架接触贴附，另一面与所述晶圆的非减薄面接触贴附。

优选地，所述切割膜的直径稍大于所述晶圆的直径。

优选地，所述步骤S3中，所述移动单元采用吸附方式与所述框架连接。

优选地，所述步骤S4中采用激光切割的方式去除所述太鼓环。

本发明还提供一种用于太鼓环去除的定位装置，包括：

包括相机，控制单元和移动单元；

所述相机用以拍摄晶圆指定位置照片，所述控制单元用以获取所述相机拍摄的照片信息，计算晶圆的定位偏差，控制所述移动单元移动；

所述移动单元包括机械臂和驱动单元，所述机械臂用于连接框架，与框架的接触固定点位于所述框架上，所述驱动单元在所述控制单元的控制下，驱动机械臂在切割设备台盘上移动将所述晶圆定位。

优选地，所述相机至少为1台，所述晶圆指定位置为所述晶圆的边缘。

优选地，所述定位偏差由所述控制单元通过计算所述晶圆当前的中心位置，然后与预设中心位置比较获得。