[发明专利]半导体器件的制造方法

权利要求书

1.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和金属层，所述金属层内形成有开口，所述开口暴露的所述层间介质层的表面存在第一突起缺陷；

在所述金属层的表面和所述开口的侧壁及底部形成保护层，且所述第一突起缺陷上方的所述保护层的表面形成有第二突起缺陷；以及

采用高密度等离子体化学气相沉积工艺在所述保护层上形成介质层，以去除所述第二突起缺陷。

2.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述高密度等离子体化学气相沉积工艺的工艺温度为250℃～450℃，沉积刻蚀比的范围为2～5，工艺压力的范围为2mT～20mT，源功率为2kW～4kW，偏压功率为2kW～3.5kW，工艺气体包括反应气体和刻蚀气体，其中，所述反应气体包括硅烷和氧气，所述刻蚀气体包括氩气。

3.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述介质层之后还包括：

在所述介质层上形成缓冲层，以减小所述介质层的应力。

4.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述保护层、所述介质层和所述缓冲层的厚度之和为

5.如权利要求4所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述介质层的厚度大于或等于所述保护层、所述介质层和所述缓冲层的厚度之和的四分之一。

6.如权利要求3所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，在形成所述缓冲层之后还包括：

在所述缓冲层上形成钝化层。

7.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为

8.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用UV光照射所述钝化层以增强所述钝化层的强度。

9.如权利要求6所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层包括铝铜合金层，所述钝化层的材料包括氮化硅，所述保护层、所述介质层和所述缓冲层的材料均包括氧化硅。

10.如权利要求1所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述金属层的厚度范围为

11.一种半导体器件的制造方法，其特征在于，包括：

提供衬底，所述衬底上依次形成有层间介质层和金属层，所述金属层内形成有开口，所述开口暴露的所述层间介质层的表面存在第一突起缺陷；

在所述开口内填充介质层，所述介质层延伸覆盖所述开口两侧的所述金属层，所述第一突起缺陷上方的所述介质层的表面形成有第二突起缺陷；以及

对所述介质层进行平坦化处理，以去除所述第二突起缺陷。

12.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用化学机械研磨工艺进行平坦化处理。

13.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述介质层进行平坦化处理之后，所述金属层的表面的所述介质层的厚度范围为

14.如权利要求11所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，对所述介质层进行平坦化处理之后，还包括：

在所述介质层上形成钝化层。

15.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，所述钝化层的厚度范围为

16.如权利要求14所述的半导体器件的制造方法，其特征在于，采用UV光照射所述钝化层以增强所述钝化层的强度。