[发明专利]SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器

权利要求书

1.SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，包括自下而上依次设置的衬底(1)，n阱区(2)，p阱区(3)，隔离槽(4)，n阱接触n+区(5)，SiGe_p+区(6)，n+区(7)，p阱接触p+区(8)；n阱区(2)和p阱区(3)并列设在衬底(1)上部；n阱区(2)上部从左至右为隔离槽(4)、n阱接触n+区(5)、SiGe_p+区(6)；p阱区(3)上部从左至右设有n+区(7)、p阱接触p+区(8)。

2.根据权利要求1所述的SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，所述n阱区(2)由厚度为0.8μm～0.95μm的Si组成，掺杂类型为As离子，掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3。

3.根据权利要求1所述的SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，所述p阱区(3)由厚度为0.8μm～0.95μm的Si组成，掺杂类型为B离子，掺杂浓度为1×10¹⁷cm^-3。

4.根据权利要求1所述的SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，所述隔离槽(4)的材料采用SiO₂，宽度为0.6μm～1μm，厚度为0.2μm。

5.根据权利要求1所述的SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，所述n阱接触n+区(5)与n+区(7)的材质采用Si，宽度为1μm，厚度为0.05μm，掺杂类型为As离子，掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3。

6.根据权利要求1所述的SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，所述SiGe_p+区(6)为SiGe层，宽度为1μm，厚度为0.05μm，掺杂类型为B离子，掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3。

7.根据权利要求1所述的SiGe工艺中基于SCR的ESD防护器，其特征在于，所述p阱接触p+区8材质采用Si，宽度为1μm，厚度为0.05μm，掺杂类型为B离子，掺杂浓度为1×10²⁰cm^-3。