[发明专利]用于反射型掩模坯料的带膜的基板和反射型掩模坯料

权利要求书

1.用于反射型掩模坯料的带膜的基板，包括：基板、在所述基板的主表面上形成并反射极紫外(EUV)光的多层反射膜、和与所述多层反射膜相接地形成的保护膜，其中

所述多层反射膜具有其中将钼(Mo)层和硅(Si)层交替地层叠且具有最上层硅(Si)层的周期性层叠结构，并且在所述钼(Mo)层和所述硅(Si)层之间的一个边界部存在一个含有Mo和Si的混合层，

所述保护膜含有钌(Ru)作为主成分，且在所述最上层硅(Si)层与所述保护膜之间的另一边界部生成含有Ru和Si的另一混合层，并且

以下定义的膜和层的厚度满足下述表达式(1)至(3)的全部：

5.3≤T_upSi+T_RuSi+T_Ru/2≤5.5 (1)

1.1≤T_Ru/2-(T_Si-T_upSi)≤1.3 (2)

3.0≤T_Ru≤4.0 (3)

其中T_Ru(nm)表示所述保护膜的厚度，T_RuSi(nm)表示在所述最上层硅(Si)层和所述保护膜之间的所述另一边界部的所述另一混合层的厚度，T_upSi(nm)表示除混合层外的所述最上层硅(Si)层的厚度，且T_Si(nm)表示在所述最上层硅(Si)层下方的周期性层叠结构中的除混合层外的所述硅(Si)层的厚度。

2.根据权利要求1所述的用于反射型掩模坯料的带膜的基板，其中，相对于EUV光的入射角1.3至10.7°的范围内的最低反射率R_min(％)满足下述表达式(4)：

R_min≥72-2×T_Ru (4)

其中T_Ru表示所述保护膜的厚度(nm)。

3.反射型掩模坯料，包括：根据权利要求1或2所述的用于反射型掩模坯料的带膜的基板、在所述保护膜上形成并吸收极紫外(EUV)光的吸收体膜、和在所述基板的相反侧的主表面上形成的导电层。