[发明专利]一种纳米锥光谱分析器件及光谱分析方法

权利要求书

1.一种纳米锥光谱分析器件，其特征在于，包括衬底、平放于衬底上的纳米锥台及分布于所述纳米锥台上的一组电极；所述纳米锥台的顶半径记做r1，为入射光入射端口半径；所述纳米锥台的底半径记做r2，为纳米锥台的底端半径，所述纳米锥台的长度记做L；所述顶半径长度r1及底半径长度r2的数值均为数百纳米以内，长度L为数微米长，所述顶半径长度r1至多为底半径长度r2的二分之一。

2.根据权利要求1所述的一种纳米锥光谱分析器件，其特征在于：所述纳米锥台的材料为非晶硅、锗、氧化锌或硫化镉均匀单一的半导体材料。

3.一种纳米锥器件的光谱分析方法，采用权利要求1所述的纳米锥光谱分析器件，其特征在于，包括以下步骤：

第一步，在纳米锥台的光谱范围内，沿纳米锥台轴向从尖端耦合入射已确定且不同波长的入射光；

第二步，由于回音壁模式效应，纳米锥台利用自身腔模式，将不同波长的光吸收拘束在纳米锥台内沿轴线方向不同的位置上；

第三步，测量不同波长的光所在不同位置处的电流，得到纳米锥光谱分析器件的归一化响应谱R（λ）；

第四步，将未知波长的待测光从纳米锥台尖端耦合入射，测量实际得到的光电流I_i，利用归一化吸收谱与器件实际测量得到的光电流I_i进行光谱重构，根据方程，即可重构确定入射光波长F（λ）。