[发明专利]一种集成电路引气消泡式封装工艺有效
申请号: | 202110446466.4 | 申请日: | 2021-04-25 |
公开(公告)号: | CN113345811B | 公开(公告)日: | 2023-04-28 |
发明(设计)人: | 刘杰夫 | 申请(专利权)人: | 芯创(天门)电子科技有限公司 |
主分类号: | H01L21/56 | 分类号: | H01L21/56;H01L23/16;H01L23/24;H01L23/26 |
代理公司: | 武汉中鸥知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 42269 | 代理人: | 肖立芳 |
地址: | 431700 湖北省天门市侨乡街*** | 国省代码: | 湖北;42 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 集成电路 引气消泡式 封装 工艺 | ||
本发明公开了一种集成电路引气消泡式封装工艺,属于电路封装技术领域,本发明可以通过在基板上侧安装消泡网的方式,并利用移动的磁场来吸引消泡网上的消泡球做无规则运动,一方面可以改善环氧树脂的流动性和填充性,加速气体排出,另一方面可以对残存的气体进行挤压,利用引气绳移速快于环氧树脂流动速度的特点,从而产生空隙区域引导气体通过引气绳迁移至消泡球附近,然后消泡球基于负压原理对气体进行吸收,并且在环氧树脂的固化过程中,消泡球自主触发局部收缩动作,从而对吸收的气体进行包裹,避免气体逃逸至环氧树脂内形成气泡,消泡球预留在环氧树脂内还可以增强塑封体的强度,显著提高封装质量。
技术领域
本发明涉及电路封装技术领域,更具体地说,涉及一种集成电路引气消泡式封装工艺。
背景技术
集成电路的封装是将芯片包裹在电路板上,以避免芯片与外界接触,防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体,乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路,进而造成电学性能下降。
集成电路的封装经过插入式、表面安装式的变革以后,一种新的封装结构—直接粘结式已经经过研制、试用达到了具有商品化的价值,并且取得了更大的发展。直接粘结式封装其所以能够迅速发展,最重要的因素是它能适用于多引线、小间距、低成本的大规模自动化或半自动化生产,并且简化了封装结构和组装工艺。
集成电路每过1-2年存储容量便增长几倍,芯片的塑封外形正向小型化。薄型化方向发展。因此,半导体封装业显得日益重要,对塑封模具提出了更高的要求。封装材料(塑封料)是以环氧树脂为基水成分添加了各种添加剂的混合物,只有耐湿、耐燃、易保存、流动充填性好、电绝缘性高、应力低、强度大、可靠性好等特点,长期以来,一直应用于集成电路及半导体、无源器件的表面低压封装。
但是现有的注塑工艺容易出现气孔缺陷,气泡的产生不仅使塑封体强度降低,而且耐湿性、电绝缘性能大大降低,对集成电路安全使用的可靠性将产生很大的影响,情况严重的将导致集成电路制造失败,对于电器的使用留下安全隐患。
发明内容
1.要解决的技术问题
针对现有技术中存在的问题,本发明的目的在于提供一种集成电路引气消泡式封装工艺,可以通过在基板上侧安装消泡网的方式,并利用移动的磁场来吸引消泡网上的消泡球做无规则运动,一方面可以改善环氧树脂的流动性和填充性,加速气体排出,另一方面可以对残存的气体进行挤压,利用引气绳移速快于环氧树脂流动速度的特点,从而产生空隙区域引导气体通过引气绳迁移至消泡球附近,然后消泡球基于负压原理对气体进行吸收,并且在环氧树脂的固化过程中,消泡球自主触发局部收缩动作,从而对吸收的气体进行包裹,避免气体逃逸至环氧树脂内形成气泡,消泡球预留在环氧树脂内还可以增强塑封体的强度,显著提高封装质量。
2.技术方案
为解决上述问题,本发明采用如下的技术方案。
一种集成电路引气消泡式封装工艺,包括以下步骤:
S1、将集成电路印制至基板上,在基板上侧安装消泡网,消泡网包括多个均匀分布的消泡球,消泡球之间连接有引气绳;
S2、在基板周围安装注塑模具,然后向注塑模具的浇注口注入环氧树脂;
S3、在注塑模具上方施加移动的磁场,且磁场时断时续,吸引消泡球在环氧树脂内做不规则的运动,引气绳在同步运动的同时将气体引至消泡球内;
S4、待环氧树脂固化形成塑封体后,取下注塑模具即可。
进一步的,所述基板采用氧化铝基板、玻纤增强环氧树脂板或玻璃基板中的任意一种。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造