[发明专利]半导体器件的封装方法及半导体器件

权利要求书

1.一种半导体器件的封装方法，其特征在于，包括以下步骤：

提供掩模板，所述掩模板上设有沿第一方向延伸的且沿第二方向间隔布置的多个第一开孔，在第二方向上，由所述掩模板的中部向两侧方向，多个所述第一开孔的宽度逐渐减小；

利用所述掩模板在第一结构的待焊合面上蒸镀焊料，使焊料的表面形成多个与所述第一开孔一一对应的焊料凸起，在第二方向上，由所述第一结构的中部向两侧方向，多个所述焊料凸起的高度逐渐减小；

在所述焊料凸起的上方放置第二结构，加热焊料将所述第二结构和所述第一结构焊接。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述半导体器件的封装方法还包括在利用所述掩模板在第一结构的待焊合面上蒸镀焊料，使焊料的表面形成多个与所述第一开孔一一对应的焊料凸起的步骤之前进行的，在第一结构的待焊合面的中部预设支撑层，所述支撑层的高度小于所述第一结构与所述第二结构焊合后的焊料层的厚度，最中间的所述第一开孔在待焊合面上的投影处于所述支撑层在待焊合面上的投影内。

3.根据权利要求2所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，在第二方向上，所述支撑层的宽度与最中间的所述第一开孔的宽度的比值为1-1.5。

4.根据权利要求3所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述在第一结构的待焊合面的中部预设支撑层的步骤包括：

在第一结构的待焊合面上形成光阻层；

通过曝光显影处理，在处于所述第一结构的中部的所述光阻层上形成第二开孔；

在所述第二开孔处形成所述支撑层；

通过灰化工艺除去所述光阻层。

5.根据权利要求2-4任一项所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层的高度与所述第一结构和所述第二结构焊合后的焊料层的厚度比值为1/3-1/4。

6.根据权利要求2-4任一项所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述支撑层的熔点高于焊料的熔点。

7.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述第一开孔的宽度范围为0.5-3mm；相邻两个所述第一开孔之间的隔板的宽度为0.2-2mm；且相邻两个所述第一开孔的宽度的差值为0.4-0.8mm。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述第一开孔为矩形结构或者弧形结构。

9.根据权利要求1所述的半导体器件的封装方法，其特征在于，所述半导体器件的封装方法还包括所述利用所述掩模板在第一结构的待焊合面上蒸镀焊料，使焊料的表面形成多个与所述第一开孔一一对应的焊料凸起的步骤之后进行的，将所述掩模板上粘接的焊料进行回收。

10.一种半导体器件，其特征在于，采用权利要求1-9任一项所述的半导体器件的封装方法制得，包括第一结构、第二结构以及连接在所述第一结构和所述第二结构之间的焊料层。