[发明专利]显示装置在审
申请号: | 202110421604.3 | 申请日: | 2021-04-20 |
公开(公告)号: | CN113540175A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 金成焕;朴晋佑;沈廷熏 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 北京钲霖知识产权代理有限公司 11722 | 代理人: | 李英艳;冯志云 |
地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 | ||
本公开的示例实施例涉及一种显示装置,所述显示装置包括:第一显示区域,所述第一显示区域包括主子像素;第二显示区域,所述第二显示区域包括彼此间隔开的像素组和位于所述像素组之间的透射部分,所述第二显示区域具有与所述第一显示区域的分辨率不同的分辨率;以及延伸线,所述延伸线位于所述像素组之中的在第一方向上彼此相邻的两个像素组之间并且在所述第一方向上延伸,其中,所述像素组中的每一个包括多个辅助子像素和多条水平线,所述多条水平线电连接到所述多个辅助子像素并且在所述第一方向上延伸,并且所述延伸线电连接到包括在所述两个像素组中的每一个中的所述水平线,并且所述延伸线的数目小于所述水平线的数目。
本申请要求于2020年4月22日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0048860号韩国专利申请的优先权和权益,该韩国专利申请的公开内容通过引用全部并入在本文中。
技术领域
一个或多个示例实施例的各方面涉及显示装置。
背景技术
随着用于可视地表达各种电信号信息的显示器的快速发展,已经引入了具有相对优异特性(诸如薄廓形、轻质和低功耗)的各种平板显示装置。另外,最近,已经引入了在其前部没有物理按钮等的显示装置和扩大的图像显示区域。
在该背景技术部分中公开的上述信息仅是为了加强对技术背景的理解,并且因此在该背景技术部分中讨论的信息不一定构成现有技术。
发明内容
一个或多个示例实施例的各方面包括一种即使在诸如相机和传感器的电子元件所位于的区域中也能够显示图像的显示装置。
附加方面将部分地在下面的描述中进行阐述,并部分地根据该描述将是明显的,或者可以由本公开的所给出的示例实施例的实施而获知。
根据一个或多个示例实施例,一种显示装置包括:第一显示区域,所述第一显示区域包括主子像素;第二显示区域,所述第二显示区域包括彼此间隔开的像素组和位于所述像素组之间的透射部分,所述第二显示区域具有与所述第一显示区域的分辨率不同的分辨率;以及延伸线,所述延伸线布置在所述像素组之中的在第一方向上彼此相邻的两个像素组之间并且在所述第一方向上延伸,其中,所述像素组中的每一个包括多个辅助子像素和多条水平线,所述多条水平线电连接到所述多个辅助子像素并且在所述第一方向上延伸,所述延伸线电连接到包括在所述两个像素组中的每一个中的所述水平线,并且所述延伸线的数目可以小于所述水平线的数目。
根据一些示例实施例,所述延伸线之中的两条相邻的延伸线可以位于不同的层上。
根据一些示例实施例,在平面上,布置所述延伸线的区域在垂直于所述第一方向的第二方向上的宽度可以小于布置所述水平线的区域在所述第二方向上的宽度,所述第二方向垂直于所述第一方向。
根据一些示例实施例,所述多个辅助子像素中的每一个包括像素电路和电连接到所述像素电路的显示元件,所述像素电路包括配置为将驱动电流供应到所述显示元件的驱动薄膜晶体管、配置为使所述驱动薄膜晶体管的驱动栅极电极的电压初始化的第一初始化薄膜晶体管和配置为使所述显示元件的像素电极初始化的第二初始化薄膜晶体管,并且所述水平线包括配置为将初始化电压传输到所述第一初始化薄膜晶体管的第一初始化电压线和配置为将所述初始化电压传输到所述第二初始化薄膜晶体管的第二初始化电压线,其中,所述第一初始化电压线和所述第二初始化电压线可以通过第一连接线彼此电连接。
根据一些示例实施例,所述像素电路还包括开关薄膜晶体管,所述开关薄膜晶体管配置为将数据信号传输到所述驱动薄膜晶体管的驱动源极电极,并且所述水平线还包括配置为将前一扫描信号传输到所述第一初始化薄膜晶体管的第一扫描线、电连接到所述开关薄膜晶体管的开关栅极电极的第二扫描线和电连接到所述第二初始化薄膜晶体管的第二初始化栅极电极的第三扫描线,其中,所述第二扫描线和所述第三扫描线通过第二连接线彼此电连接,并且相同的扫描信号可以施加到所述第二扫描线和所述第三扫描线。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的