[发明专利]定位机构及研磨设备

说明书

本发明提供一种定位机构及研磨设备。定位机构用于对研磨设备的研磨垫定位，定位机构包括本体、滑块和弹性件。其中，本体包括：第一台阶和第二台阶，第一台阶具有竖直的第一阶面，第二台阶具有水平的第二阶面和竖直的第三阶面，其中，第一阶面、第二阶面和第三阶面依序连接呈阶梯状。滑块位于第二阶面，滑块背离第一阶面的一侧具有第一弧形面，第一弧形面向靠近第一阶面的方向凹陷，使第一弧形面能够与研磨垫的外周缘配合抵接。弹性件连接于第一阶面与滑块之间，使滑块在第二阶面上相对于第一阶面可滑动。本发明的定位机构能够对不同尺寸的研磨垫进行定位并安装，保证研磨垫与旋转台的同轴度，并且操作简便灵活。

技术领域

本发明涉及半导体制造技术领域，尤其涉及一种定位机构及研磨设备。

背景技术

CMP(化学机械研磨)技术经常应用于半导体制造工艺中，能够精确并均匀地对晶圆抛光。在对晶圆进行研磨时，研磨头吸取晶圆，对晶圆施加不同的压力，使其在研磨垫上进行研磨，使得晶圆与研磨垫表面发生物理作用及化学反应，从而能够移除晶圆的特定高度的薄膜。

在研磨过程中，研磨垫需要不断的旋转，目前的研磨垫通常需要操作人员粘贴在旋转台上，而这往往需要操作人员经过长时间的训练，而不同工艺所用的研磨垫大小也不尽相同，如果操作人员在粘贴时，未完全对准，则会导致研磨垫与旋转台的同轴度不佳，研磨垫和旋转台容易出现偏心现象，由此可能导致晶圆与研磨垫不能充分接触，且晶圆也不能与研磨液充分反应，影响晶圆研磨的精确度，而且一旦出现偏心，需要重新粘贴研磨垫，容易损坏研磨垫，并且增加了劳动量。

在所述背景技术部分公开的上述信息仅用于加强对本发明的背景的理解，因此它可以包括不构成对本领域普通技术人员已知的现有技术的信息。

发明内容

本发明的一个主要目在于提供一种定位机构，能够对不同尺寸的研磨垫进行定位并安装，保证研磨垫与旋转台的同轴度。

本发明的另一个目的在于提供一种研磨设备，能够实现研磨垫准确安装至旋转台，保证晶圆的研磨精度，且操作简便、灵活。

为了实现上述目的，根据本发明的一方面，提供一种定位机构，用于对研磨设备的研磨垫定位，所述定位机构包括：所述定位机构包括：本体、滑块和弹性件。其中，本体包括：第一台阶，具有竖直的第一阶面；以及第二台阶，具有水平的第二阶面和竖直的第三阶面，其中，所述第一阶面、所述第二阶面和所述第三阶面依序连接呈阶梯状。滑块位于所述第二阶面，所述滑块背离所述第一阶面的一侧具有第一弧形面，所述第一弧形面向靠近所述第一阶面的方向凹陷，使所述第一弧形面能够与所述研磨垫的外周缘配合抵接。弹性件连接于所述第一阶面与所述滑块之间，使所述滑块在所述第二阶面上相对于所述第一阶面可滑动。

根据本发明的一示例性实施方式，所述第一弧形面的曲率与所述研磨垫的曲率相同。

根据本发明的一示例性实施方式，所述第三阶面为向靠近所述第一台阶的方向凹陷的弧形面，所述弧形面的曲率与所述研磨设备的旋转台的侧壁的曲率相同，使所述第三阶面能够与所述旋转台的侧壁配合接触。

根据本发明的一示例性实施方式，所述本体包括：第一定位件，包括所述第一台阶；第二定位件，具有相对且平行的上表面和下表面，所述上表面为所述第二阶面，所述上表面与所述第一阶面的底端连接；以及第三定位件，设于所述第二定位件的下表面，并与所述第一定位件在水平方向上间隔设置，所述第三定位件的远离所述第一定位件的一侧为所述第三阶面。

根据本发明的一示例性实施方式，所述第二定位件具有延伸部，所述延伸部自所述下表面与所述第三阶面的连接处向远离所述第一阶面的方向延伸，在所述第三阶面与所述旋转台的侧壁配合接触时，所述延伸部的所述下表面与所述旋转台的顶面接触。

根据本发明的一示例性实施方式，所述延伸部的厚度为3～10mm。

根据本发明的一示例性实施方式，所述延伸部的厚度自所述下表面与所述第三阶面的连接处向远离所述第一阶面的方向逐渐减小。