[发明专利]一种面阵探测器

权利要求书

1.一种面阵探测器，其特征在于，所述面阵探测器包括多个单像素；

所述单像素包括柱形的衬底；所述衬底的上底面上设置有第一重掺杂区，所述第一重掺杂区为P型重掺杂区或者N型重掺杂区；所述衬底的下底面上设置有与所述第一重掺杂区的掺杂类型不同的第二重掺杂区；所述掺杂类型包括N型或者P型；所述第一重掺杂区为收集电极，当所述第一重掺杂区为N型重掺杂区，所述第二重掺杂区为P型重掺杂区时，所述第一重掺杂区加零电位，所述第二重掺杂区加负偏压，利用所述第一重掺杂区收集电子载流子；当所述第一重掺杂区为P型重掺杂区，所述第二重掺杂区为N型重掺杂区时，所述第一重掺杂区加零电位，所述第二重掺杂区加正偏压，利用所述第一重掺杂区收集空穴载流子；

所述衬底的上底面上还设置有与所述第一重掺杂区的掺杂类型不同的多个第三重掺杂区，每一所述第三重掺杂区均为封闭图形，且包围所述第一重掺杂区；按照到所述第一重掺杂区的距离的顺序，多个所述第三重掺杂区所加电压的数值梯度上升或者梯度下降；距离所述第一重掺杂区越近，所述第三重掺杂区所加电压的数值越小；

所述衬底的每一侧面上均设置有像素边缘隔离结构；所述像素边缘隔离结构上设置有电位控制电极，所述电位控制电极为与所述第一重掺杂区掺杂类型不同的重掺杂多晶硅；所述第二重掺杂区、所述电位控制电极和所述第三重掺杂区所加电压的极性相同，且所述第二重掺杂区、所述电位控制电极和所述第三重掺杂区所加电压的数值依次减小；或者，所述衬底的每一侧面上均设置有像素边缘电位控制电极；所述像素边缘电位控制电极为与所述第一重掺杂区掺杂类型不同的重掺杂多晶硅；所述第二重掺杂区、所述像素边缘电位控制电极和所述第三重掺杂区所加电压的极性相同，且所述第二重掺杂区、所述像素边缘电位控制电极和所述第三重掺杂区所加电压的数值依次减小；

按照衬底侧面贴合衬底侧面的方式对多个所述单像素进行排列，形成一个面阵列，构成面阵探测器。

2.根据权利要求1所述的一种面阵探测器，其特征在于，所述第三重掺杂区的形状和所述第一重掺杂区的形状均与所述上底面的形状相同。

3.根据权利要求1所述的一种面阵探测器，其特征在于，所述像素边缘隔离结构上设置有多个电位控制电极；按照从下到上这一方向上所述电位控制电极的顺序，多个所述电位控制电极所加电压的数值梯度下降。

4.根据权利要求1所述的一种面阵探测器，其特征在于，所述衬底的每一侧面上均设置有多个像素边缘电位控制电极；按照从下到上这一方向上所述像素边缘电位控制电极的顺序，多个所述像素边缘电位控制电极所加电压的数值梯度下降。

5.根据权利要求1所述的一种面阵探测器，其特征在于，相邻两个所述单像素共用一个所述电位控制电极；或者，相邻两个所述单像素共用一个所述像素边缘电位控制电极。