[发明专利]基板处理装置有效

专利信息
申请号: 202110407441.3 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN113522883B 公开(公告)日: 2023-05-16
发明(设计)人: 松嶋大辅;出村健介;中村聪;神谷将也;中村美波 申请(专利权)人: 芝浦机械电子株式会社
主分类号: B08B7/00 分类号: B08B7/00;H01L21/67
代理公司: 北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290 代理人: 李雪春;阎文君
地址: 日本神*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理 装置
【说明书】:

本发明提供一种基板处理装置,其能够抑制静电产生,且能够提高污染物的除去率。实施方式所涉及的基板处理装置具备:放置台,能够使基板进行旋转;冷却部,能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体;第1液体供给部,能够向所述基板的所述放置台侧的相反面供给第1液体;第2液体供给部,能够向所述基板的所述面供给导电率高于所述第1液体的第2液体;及控制部,对所述基板的旋转、所述冷却气体的供给、所述第1液体的供给、所述第2液体的供给进行控制。

技术领域

本发明的实施方式涉及一种基板处理装置。

背景技术

作为除去附着于压印用模板、光刻用掩模、半导体晶片等基板的表面的颗粒等污染物的方法,提出了冻结清洗法。

冻结清洗法中,例如当作为清洗中使用的液体而使用纯水时,首先,向进行旋转的基板的表面供给纯水和冷却气体。接下来,停止纯水的供给,排出被供给的纯水的一部分而在基板的表面上形成水膜。水膜因供向基板的冷却气体而被冻结。当水膜发生冻结而形成冰膜时,颗粒等污染物因进入冰膜而从基板的表面分离。接下来,向冰膜供给纯水而溶化冰膜,与纯水一起从基板的表面除去污染物。由此,提高污染物的除去率。

在此,纯水的导电率较低。因此,在向进行旋转的基板的表面供给纯水时容易产生静电。另一方面,在基板的表面上,有时会形成有具有导电性的图案或对具有导电性的图案进行绝缘的要素等。因此,因产生的静电而有可能发生绝缘破坏等。另外,因起因于静电的化学反应而也有可能基板的表面或图案发生损伤。

于是,希望开发出一种基板处理装置,其能够抑制静电产生,且能够提高污染物的除去率。

专利文献

专利文献1:日本国特开2018-026436号公报

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种基板处理装置,其能够抑制静电产生,且能够提高污染物的除去率。

实施方式所涉及的基板处理装置具备:放置台,能够使基板进行旋转,所述基板具有第1面和与所述第1面相反的第2面;冷却部,能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体;第1液体供给部,能够向所述基板的所述放置台侧的所述第1面相反的所述第2面供给第1液体;第2液体供给部,能够向所述基板的所述第2面供给导电率高于所述第1液体的第2液体;及控制部,对所述基板的旋转、所述冷却气体的供给、所述第1液体的供给、所述第2液体的供给进行控制,其特征为,所述控制部对所述冷却气体的供给、所述第1液体的供给、所述第2液体的供给进行控制,由此执行:准备工序,向所述基板的所述第2面供给所述第2液体,向所述放置台与所述基板之间的空间供给所述冷却气体;液膜形成工序,在所述准备工序之后,向所述基板的所述第2面供给所述第1液体来形成液膜;过冷却工序,使位于所述基板的所述第2面的所述液膜处于过冷却状态;及冻结工序,使位于所述基板的所述第2面的所述液膜的至少一部分发生冻结,所述基板处理装置的特征在于,所述控制部在所述液膜形成工序中,使所述基板进行旋转而排出供向所述基板的所述第2面的所述第2液体的至少一部分,向所述第2液体已被排出的所述基板的所述第2面供给所述第1液体。

根据本发明的实施方式,提供一种基板处理装置,其能够抑制静电产生,且能够提高污染物的除去率。

附图说明

图1是用于例示本实施方式所涉及的基板处理装置的模式图。

图2是用于例示本实施方式所涉及的基板处理装置的控制部的模式图。

图3是用于例示基板处理装置的作用的时间图。

图4是用于例示在冻结清洗工序中供向基板的液体的温度变化的曲线图。

图5是在实施多次冻结清洗工序时的流程图。

图6是说明在实施多次冻结清洗工序时的控制部的动作的流程图。

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