[发明专利]基板处理装置

权利要求书

1.一种基板处理装置，具备：

放置台，能够使基板进行旋转，所述基板具有第1面和与所述第1面相反的第2面；

冷却部，能够向所述放置台与所述基板之间的空间供给冷却气体；

第1液体供给部，能够向所述基板的所述放置台侧的所述第1面相反的所述第2面供给第1液体；

第2液体供给部，能够向所述基板的所述第2面供给导电率高于所述第1液体的第2液体；

及控制部，对所述基板的旋转、所述冷却气体的供给、所述第1液体的供给、所述第2液体的供给进行控制，其特征为，

所述控制部对所述冷却气体的供给、所述第1液体的供给、所述第2液体的供给进行控制，

由此执行：准备工序，向所述基板的所述第2面供给所述第2液体，向所述放置台与所述基板之间的空间供给所述冷却气体；

液膜形成工序，在所述准备工序之后，向所述基板的所述第2面供给所述第1液体来形成液膜；

过冷却工序，使位于所述基板的所述第2面的所述液膜处于过冷却状态；

及冻结工序，使位于所述基板的所述第2面的所述液膜的至少一部分发生冻结，

所述基板处理装置的特征在于，

所述控制部在所述液膜形成工序中，使所述基板进行旋转而排出供向所述基板的所述第2面的所述第2液体的至少一部分，向所述第2液体已被排出的所述基板的所述第2面供给所述第1液体。

2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征为，所述控制部在所述液膜形成工序中，在排出所述第2液体时使一部分残留，向所述残留的所述第2液体上供给所述第1液体。

3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征为，所述残留的所述第2液体覆盖所述基板的所述第2面。

4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其特征为，所述残留的所述第2液体的膜的厚度为在所述液膜形成工序中形成的液膜的厚度的10％以下。

5.根据权利要求1所述的基板处理装置，其特征为，所述控制部还执行向位于所述基板的所述第2面的冻结的所述液膜供给所述第2液体而解冻冻结的所述液膜的解冻工序。

6.根据权利要求4所述的基板处理装置，其特征为，所述控制部还执行向位于所述基板的所述第2面的冻结的所述液膜供给所述第2液体而解冻冻结的所述液膜的解冻工序。

7.根据权利要求1～6中任意一项所述的基板处理装置，其特征为，所述第2液体是溶解有溶解时发生离子化的气体的液体。

8.根据权利要求1～6中任意一项所述的基板处理装置，其特征为，所述控制部在所述液膜形成工序中，使所述基板进行旋转而排出供向所述基板的所述第2面的所述第2液体的至少一部分，之后做成低于所述准备工序的转速的第1转速，之后向所述基板的所述第2面供给所述第1液体。