[发明专利]基板处理装置及方法

说明书

本发明涉及基板处理装置及方法，包括：操作台部；转轴部，以能够旋转的方式安装于操作台部，并且使放置的基板进行旋转；第一处理部，安装于操作台部，并且向基板喷射第一干燥物质；以及第二处理部，安装于操作台部，并且向已喷射第一干燥物质的基板喷射第二干燥物质，从而可提高基板干燥作业性。

技术领域

本发明涉及基板处理装置及方法，更详细地，涉及可以快速且精密地执行晶片干燥的基板处理装置及方法。

背景技术

通常，在半导体制造工序中的晶片加工工序包括光刻胶涂敷工序(PhotoresistCoating)、显影工序(DevelopBake)、蚀刻工序(Etching)、化学气相蒸镀工序(ChemicalVapor Deposition)、灰化工序(Ashing)等。

在执行所述多步骤工序的过程中，用于去除附着在基板的各种污染物质的工序包括利用药液(Chemical)或去离子水(DI water，Deionized Water)的清洗工序(WetCleaning Process)。

并且，在进行完清洗工序之后，进行用于干燥在半导体基板的表面残留的药液或去离子水的干燥(Drying)工序。为了执行干燥工序而使用的基板干燥装置使用如下的装置，即，利用机械扭矩来干燥半导体基板的甩干装置(Spin dry)以及利用异丙醇(IPA，isopropyl alcohol)的化学反应来干燥半导体基板的异丙醇干燥装置。

以往，通过异丙醇喷嘴向晶片喷射异丙醇，通过N2喷嘴向晶片喷射N2，因它们之间的干扰，存在干燥效率降低的问题。因此，有必要对此进行改善。

本发明的背景技术公开在韩国公开专利公报第2019-0011472号(2019年02月07日公开，发明的名称：晶片干燥装置及方法基板)。

发明内容

要解决的技术问题

本发明用于解决如上所述的问题，本发明的目的在于，提供可以快速且精密地执行晶片干燥的基板处理装置及方法。

解决技术问题的手段

本发明的基板处理装置的特征在于，包括：操作台部；转轴部，以能够旋转的方式安装于所述操作台部，并且使放置于所述转轴部的基板进行旋转；第一处理部，安装于所述操作台部，并且向所述基板喷射第一干燥物质；以及第二处理部，安装于所述操作台部，并且向已喷射所述第一干燥物质的所述基板喷射第二干燥物质。

本发明的特征在于，所述第一处理部包括：第一处理储存部，储存所述第一干燥物质；第一处理引导部，以能够旋转的方式安装于所述第一处理储存部，并且引导所述第一干燥物质；第一处理旋转部，使所述第一处理引导部旋转；以及第一处理喷嘴部，形成于所述第一处理引导部，并且对所述第一干燥物质进行排出。

本发明的特征在于，所述第二处理部包括：第二竖直喷嘴部，沿着竖直方向排出所述第二干燥物质；以及第二倾斜喷嘴部，沿着倾斜方向排出所述第二干燥物质。

本发明的特征在于，所述第二竖直喷嘴部到达所述基板上的位置与所述第二倾斜喷嘴部到达所述基板上的位置相同。

本发明的基板处理方法的特征在于，包括：准备步骤，对安装于操作台部的第一处理部和第二处理部向放置于转轴部并旋转的基板喷射第一干燥物质和第二干燥物质进行准备；喷射步骤，所述第一处理部向所述基板喷射所述第一干燥物质，所述第二处理部向已喷射所述第一干燥物质的所述基板喷射所述第二干燥物质；以及恢复步骤，使所述第一处理部和所述第二处理部向原位置移动。

本发明的特征在于，所述准备步骤包括：第一处理部准备步骤，使所述第一处理部移动，以向所述基板的中心部喷射所述第一干燥物质；以及第二处理部准备步骤，将所述第二处理部配置成与所述第一处理部邻近。