[发明专利]阳极氧化膜模具、探针半成品、探针卡及其制造方法

说明书

本发明涉及一种阳极氧化膜模具及阳极氧化膜模具的制造方法、及探针半成品及探针半成品的制造方法以及探针卡及探针卡的制造方法。

技术领域

本发明涉及一种由阳极氧化膜形成的阳极氧化膜模具及阳极氧化膜模具的制造方法、及探针半成品及探针半成品的制造方法以及探针卡及探针卡的制造方法。

背景技术

通常，半导体制造工艺通过在晶片上形成图案的制作(fabrication)工艺、检查构成晶片的各个芯片的电特性的电管芯分选(Electrical Die Sorting，EDS)工艺以及由各个芯片组装形成有图案的晶片的装配(assembly)工艺制造而成。

此处，执行EDS工艺也用于判别构成晶片的芯片中的不良芯片。在EDS工艺中，主要使用叫做探针卡的检查装置，所述探针卡对构成晶片的芯片施加电信号并通过根据施加的电信号进行检查的信号来判断不良。

探针卡配置有探针，探针与构成晶片的各芯片的图案接触来施加电信号。探针与晶片的各器件的电极垫接触，并测定在流通特定电流时当时输出的电特性。

可根据将探针设置在配线基板的结构及探针的结构来划分探针卡的种类。作为一例，微机电系统(MEMS)探针卡可通过在配置与探针电连接的连接垫的一侧执行MEMS工艺来配置探针。

作为关于此种探针卡的专利，已知有记载在韩国公开专利第10-2000-0006268号(以下称为“专利文献1”)中者。

专利文献1中可包括通过光刻(photolithography)工艺由垂直部分与水平梁(beam)及尖端部分形成的探针。

在专利文献1中，在硅基板形成薄的金属层，在薄的金属层上形成光致抗蚀剂层，之后对准掩模，以使光致抗蚀剂层可在光致抗蚀剂层上侧暴露到紫外线。被掩模覆盖的光致抗蚀剂在暴露到紫外线后被固化。然后，溶解及去除被暴露出的抗蚀剂部分，因此可配置光掩模层。可在光掩模层的溶解及去除的部分沉积探针(专利文献1中的接触器)材料的同时形成相互连接的迹线(trace)。然后，可以相同的方式执行在相互连接的迹线上镀覆薄的金属层并配置先前执行的光掩模层的过程。然后，可在光掩模层的溶解及去除的部分沉积探针材料并形成探针的垂直部分。然后，可重复执行如上所述的工艺以形成探针的其他部分。

MEMS探针卡的情况，如上所述可通过在硅基板利用光刻工艺制造探针之后在配置有连接垫的一侧接合探针进行配置。

但是，对于在硅基板通过光刻工艺制造的探针，为了在制造过程中沉积构成探针的某一部分(例如，垂直部分)的材料，需要配置光致抗蚀剂层并在执行遮蔽过程之后执行去除此部位的过程。然后，为了配置探针的其余部分(例如，另一垂直部分或水平梁)必须重复执行先前执行的相同过程。

因此，由于必须重复执行相同的过程以形成构成探针的各部分，因此存在制造过程繁琐且制造所需的时间长的缺点。

如此，MEMS方法是用于制造微小结构物的有用方法，但是由于必须经过多个步骤制作微小结构物，因此制造工艺繁琐。

[现有技术文献]

[专利文献]

[专利文献1]1)韩国公开专利第10-2000-0006268号

发明内容

[发明所要解决的问题]

本发明是为了解决上述问题而提出的，目的在于提供一种可简便地制作微小结构物的阳极氧化膜模具及其制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种可使用如上所述的阳极氧化膜模具简便地制作的探针半成品及其制造方法。

另外，本发明的目的在于提供一种可使用探针半成品简便地制作的探针卡及其制造方法。

[解决问题的技术手段]