[发明专利]处理带

说明书

公开了一种处理带。所述处理带可以包括：基体层；粘合层，设置在基体层上；保护剥离膜，位于粘合层上；以及第一剥离层，置于粘合层与保护剥离膜之间。第一剥离层可以包括有机硅类材料并且可以是不可光固化的。

本专利申请要求于2020年7月14日在韩国知识产权局提交的第10-2020-0086874号韩国专利申请的优先权，该专利申请的全部内容通过引用包含于此。

技术领域

本公开涉及一种处理带，具体地，涉及一种在制造半导体器件的工艺中使用的处理带。

背景技术

随着电子产业的发展，成本有效地制造轻、小、快速和高性能的电子产品成为可能。电子产品包括使用晶片级基底制造的半导体器件。通过切割基底形成多个半导体芯片。在切割基底的工艺中使用诸如切割带的处理带。

发明内容

发明构思的实施例提供了一种具有改善的粘合强度的处理带以及一种使用该处理带制造半导体器件的方法。

发明构思的实施例提供了一种具有改善的剥离性质的处理带以及一种使用该处理带制造半导体器件的方法。

根据发明构思的实施例，处理带可以包括：基体层；粘合层，设置在基体层上；保护剥离膜，位于粘合层上；以及第一剥离层，置于粘合层与保护剥离膜之间。第一剥离层可以包括有机硅类材料并且是不可光固化的。

根据发明构思的实施例，一种制造半导体器件的方法可以包括：准备包括堆叠在基体层上的粘合层、第一剥离层和保护剥离膜的处理带；去除保护剥离膜，同时在粘合层上留下用作第一剥离膜的第一剥离层的至少一部分；将基底结构附着到第一剥离膜；对基底结构执行处理工艺以形成经处理的基底结构；以及将经处理的基底结构与第一剥离膜分离。第一剥离膜可以是不可光固化的。

根据发明构思的实施例，处理带可以包括：基体层，包括聚合物；压敏粘合层，设置基体层上；保护剥离膜，位于压敏粘合层上；第一剥离层，置于压敏粘合层与保护剥离膜之间；以及第二剥离层，置于第一剥离层与保护剥离膜之间，第二剥离层包括有机硅丙烯酸酯。第一剥离层可以是不可光固化的，并且压敏粘合层可以包括可光固化材料。第一剥离层可以为压敏粘合层的0.01phr至30phr，并且第一剥离层的厚度在0.01μm至10μm的范围内。第一剥离层可以包括由化学式1表示的材料。

[化学式1]

其中，R₁和R₂可以均独立地包括从氢、具有1个至5个碳原子的烷基、具有1个至5个碳原子的烷基取代的甲硅烷基、-NH₂、具有1个至5个碳原子的氨基烷基、具有1个至5个碳原子的烷基氨基、羟基(-OH)、具有1个至5个碳原子的羟基烷基、异氰酸酯基(-NCO)、取代有异氰酸酯基的具有1个至5个碳原子的烷基以及取代有环氧基的具有1个至5个碳原子的烷基中选择的一个，R₃均独立地包括从具有1个至3个碳原子的烷基中选择的一个，并且n为1至410。

附图说明

通过以下结合附图的简要描述，示例实施例将被更清楚地理解。附图表示如在此所描述的非限制性的示例实施例。

图1是示出根据发明构思的实施例的处理带的剖视图。

图2是示出根据发明构思的实施例的处理带的剖视图。

图3A至图3C是示出根据发明构思的实施例的制造处理带的方法的剖视图。

图4A至图4F是示出根据发明构思的实施例的使用处理带制造半导体器件的方法的剖视图。

图5A是示出根据发明构思的实施例的半导体封装件的剖视图。

图5B是示出根据发明构思的实施例的半导体封装件的剖视图。

具体实施方式