[发明专利]处理带在审
| 申请号: | 202110405162.3 | 申请日: | 2021-04-15 |
| 公开(公告)号: | CN113937050A | 公开(公告)日: | 2022-01-14 |
| 发明(设计)人: | 陈华日;李铣浩;金永锡 | 申请(专利权)人: | 三星电子株式会社 |
| 主分类号: | H01L21/683 | 分类号: | H01L21/683;C09J7/30 |
| 代理公司: | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人: | 任旭;尹淑梅 |
| 地址: | 韩国京畿*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 处理 | ||
1.一种处理带,所述处理带包括:
基体层;
粘合层,设置在基体层上;
保护剥离膜,位于粘合层上;以及
第一剥离层,置于粘合层与保护剥离膜之间,
其中,第一剥离层包括有机硅类材料并且是不可光固化的。
2.根据权利要求1所述的处理带,其中,粘合层包括丙烯酸酯类材料并且是可光固化的。
3.根据权利要求1所述的处理带,所述处理带还包括置于第一剥离层与保护剥离膜之间的第二剥离层,
其中,第二剥离层包括有机硅丙烯酸酯类材料。
4.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层的有机硅类材料由化学式1表示:
[化学式1]
其中,R1和R2均独立地包括从氢、具有1个至5个碳原子的烷基、具有1个至5个碳原子的烷基取代的甲硅烷基、-NH2、具有1个至5个碳原子的氨基烷基、具有1个至5个碳原子的烷基氨基、羟基、具有1个至5个碳原子的羟基烷基、异氰酸酯基、取代有异氰酸酯基的具有1个至5个碳原子的烷基以及取代有环氧基的具有1个至5个碳原子的烷基中选择的一个,R3均独立地包括从具有1个至3个碳原子的烷基中选择的一个,并且n为1至410。
5.根据权利要求4所述的处理带,其中,第一剥离层具有热固性,并且
在化学式1中,R1和R2均独立地为从-NH2、具有1个至5个碳原子的氨基烷基、具有1个至5个碳原子的烷基氨基、羟基、具有1个至5个碳原子的羟基烷基、异氰酸酯基、取代有异氰酸酯基的具有1个至5个碳原子的烷基以及取代有环氧基的具有1个至5个碳原子的烷基中选择的任何一个。
6.根据权利要求4所述的处理带,其中,第一剥离层具有非热固性,并且
在化学式1中,R1和R2均独立地为氢、具有1个至5个碳原子的烷基或者具有1个至5个碳原子的烷基取代的甲硅烷基。
7.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层为粘合层的0.01phr至30phr。
8.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层的厚度在0.01μm至10μm的范围内。
9.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层化学结合到粘合层。
10.根据权利要求1所述的处理带,其中,粘合层包括压敏粘合层,并且粘合层的厚度在5μm至50μm的范围内。
11.根据权利要求3所述的处理带,其中,第二剥离层为光固化的有机硅丙烯酸酯类材料。
12.根据权利要求3所述的处理带,其中,有机硅丙烯酸酯类的第二剥离层由化学式2表示:
[化学式2]
其中,R4均独立地包括从具有1个至3个碳原子的烷基中选择的一个,m为0至520。
13.根据权利要求3所述的处理带,其中,第二剥离层为粘合层的0.00001phr至30phr。
14.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层是疏水性的。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





