[发明专利]处理带在审

专利信息
申请号: 202110405162.3 申请日: 2021-04-15
公开(公告)号: CN113937050A 公开(公告)日: 2022-01-14
发明(设计)人: 陈华日;李铣浩;金永锡 申请(专利权)人: 三星电子株式会社
主分类号: H01L21/683 分类号: H01L21/683;C09J7/30
代理公司: 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 代理人: 任旭;尹淑梅
地址: 韩国京畿*** 国省代码: 暂无信息
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摘要:
搜索关键词: 处理
【权利要求书】:

1.一种处理带,所述处理带包括:

基体层;

粘合层,设置在基体层上;

保护剥离膜,位于粘合层上;以及

第一剥离层,置于粘合层与保护剥离膜之间,

其中,第一剥离层包括有机硅类材料并且是不可光固化的。

2.根据权利要求1所述的处理带,其中,粘合层包括丙烯酸酯类材料并且是可光固化的。

3.根据权利要求1所述的处理带,所述处理带还包括置于第一剥离层与保护剥离膜之间的第二剥离层,

其中,第二剥离层包括有机硅丙烯酸酯类材料。

4.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层的有机硅类材料由化学式1表示:

[化学式1]

其中,R1和R2均独立地包括从氢、具有1个至5个碳原子的烷基、具有1个至5个碳原子的烷基取代的甲硅烷基、-NH2、具有1个至5个碳原子的氨基烷基、具有1个至5个碳原子的烷基氨基、羟基、具有1个至5个碳原子的羟基烷基、异氰酸酯基、取代有异氰酸酯基的具有1个至5个碳原子的烷基以及取代有环氧基的具有1个至5个碳原子的烷基中选择的一个,R3均独立地包括从具有1个至3个碳原子的烷基中选择的一个,并且n为1至410。

5.根据权利要求4所述的处理带,其中,第一剥离层具有热固性,并且

在化学式1中,R1和R2均独立地为从-NH2、具有1个至5个碳原子的氨基烷基、具有1个至5个碳原子的烷基氨基、羟基、具有1个至5个碳原子的羟基烷基、异氰酸酯基、取代有异氰酸酯基的具有1个至5个碳原子的烷基以及取代有环氧基的具有1个至5个碳原子的烷基中选择的任何一个。

6.根据权利要求4所述的处理带,其中,第一剥离层具有非热固性,并且

在化学式1中,R1和R2均独立地为氢、具有1个至5个碳原子的烷基或者具有1个至5个碳原子的烷基取代的甲硅烷基。

7.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层为粘合层的0.01phr至30phr。

8.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层的厚度在0.01μm至10μm的范围内。

9.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层化学结合到粘合层。

10.根据权利要求1所述的处理带,其中,粘合层包括压敏粘合层,并且粘合层的厚度在5μm至50μm的范围内。

11.根据权利要求3所述的处理带,其中,第二剥离层为光固化的有机硅丙烯酸酯类材料。

12.根据权利要求3所述的处理带,其中,有机硅丙烯酸酯类的第二剥离层由化学式2表示:

[化学式2]

其中,R4均独立地包括从具有1个至3个碳原子的烷基中选择的一个,m为0至520。

13.根据权利要求3所述的处理带,其中,第二剥离层为粘合层的0.00001phr至30phr。

14.根据权利要求1所述的处理带,其中,第一剥离层是疏水性的。

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