[发明专利]等离子体处理装置及等离子体处理方法

说明书

本发明的等离子体处理装置具备腔室、基板支承器及电源系统。基板支承器具有电极，构成为在腔室内支承基板。电源系统与电极电连接。电源系统构成为在第1期间将第1脉冲作为偏置电压输出至电极，并在第1期间之后的第2期间将第2脉冲作为偏置电压输出至电极。第1脉冲及第2脉冲分别为电压的脉冲。第1脉冲的电压电平与第2脉冲的电压电平不同。

技术领域

本发明的示例性实施方式涉及一种等离子体处理装置及等离子体处理方法。

背景技术

等离子体处理装置用于对基板的等离子体处理中。等离子体处理装置具备腔室及基板保持电极。基板保持电极设置于腔室内。基板保持电极保持载置于其主表面上的基板。这种等离子体处理装置的一种记载于日本特开2009-187975号公报(以下，称为“专利文献1”)中。

在专利文献1中所记载的等离子体处理装置还具备高频发生装置及DC负脉冲发生装置。高频发生装置对基板保持电极施加高频电压。在专利文献1中所记载的等离子体处理装置中，可交替地切换高频电压的开启和关闭。并且，在专利文献1中所记载的等离子体处理装置中，根据高频电压的开启和关闭的时刻，从DC负脉冲发生装置向基板保持电极施加DC负脉冲电压。

发明内容

本发明提供一种将具有不同能量的离子供给至基板的技术。

在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器及电源系统。基板支承器具有电极，构成为在腔室内支承基板。电源系统与基板支承器的电极电连接，并且构成为向基板支承器的电极施加偏置电压以将离子从腔室内的等离子体吸引到基板支承器的基板上。电源系统构成为在第1期间将第1脉冲作为偏置电压输出至基板支承器的电极，并在第1期间之后的第2期间将第2脉冲作为偏置电压输出至基板支承器的电极。第1脉冲及第2脉冲分别为电压的脉冲。第1脉冲的电压电平与第2脉冲的电压电平不同。

根据一示例性实施方式，能够将具有不同能量的离子供给至基板。

附图说明

图1是概略地表示一示例性实施方式所涉及的等离子体处理装置的图。

图2是第1例的偏置电压的时序图。

图3是第2例的偏置电压的时序图。

图4是第3例的偏置电压的时序图。

图5是第4例的偏置电压的时序图。

图6是第5例的偏置电压的时序图。

图7是表示一示例性实施方式所涉及的电源系统的图。

图8是表示另一示例性实施方式所涉及的电源系统的图。

图9是表示另一示例性实施方式所涉及的基板支承器的结构的图。

具体实施方式

以下，对各种示例性实施方式进行说明。

在一示例性实施方式中，提供一种等离子体处理装置。等离子体处理装置具备腔室、基板支承器及电源系统。基板支承器具有电极，构成为在腔室内支承基板。电源系统与基板支承器的电极电连接，并且构成为向基板支承器的电极施加偏置电压以将离子从腔室内的等离子体吸引到基板支承器的基板上。电源系统构成为在第1期间将第1脉冲作为偏置电压输出至基板支承器的电极，并在第1期间之后的第2期间将第2脉冲作为偏置电压输出至基板支承器的电极。第1脉冲及第2脉冲分别为电压的脉冲。第1脉冲的电压电平与第2脉冲的电压电平不同。

在上述实施方式中，第1脉冲的电压电平与第2脉冲的电压电平不同。因此，在第1期间从等离子体供给至基板的离子的能量与在第2期间从等离子体供给至基板的离子的能量不同。因此，根据上述实施方式，能够向基板供给具有不同能量的离子。