[发明专利]光电转换装置和装备在审
申请号: | 202110404326.0 | 申请日: | 2021-04-15 |
公开(公告)号: | CN113540135A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 都甲宪二;石野英明;林良之 | 申请(专利权)人: | 佳能株式会社 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146 |
代理公司: | 北京怡丰知识产权代理有限公司 11293 | 代理人: | 迟军;高华丽 |
地址: | 日本东京都*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 转换 装置 装备 | ||
本发明提供了光电转换装置和装备。遮光部的上端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离长。遮光部的下端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离短。在包括遮光膜和遮光部的平面中,配设有由遮光部限定的开口和在遮光部与遮光膜之间的间隙,该间隙的宽度小于开口的宽度。
技术领域
实施例方面涉及光电转换装置。
背景技术
光电转换装置配设有光接收像素和遮光像素。各个遮光像素通过遮光膜遮光。在光接收像素之间使用遮光壁进行遮光防止了串扰的发生。
日本特开第2019-12739号公报讨论了一种固态图像传感器,该固态图像传感器包括遮光像素和遮光壁,该遮光像素各自包括在绝缘层中的靠近滤色器布设的遮光膜,该遮光壁布设在像素之间的绝缘层中。
在日本特开第2019-12739号公报中讨论的技术在光学特性上仍有改进的空间。即,例如,在有效像素区域中的光学黑色(OPB)像素区域的端部处的有效像素中可能发生串扰。
发明内容
根据本发明的一个方面,一种光电转换装置,其包括光接收像素区域和遮光像素区域,所述光电转换装置包括:光电转换层,其包括多个光电转换部;在光接收像素区域中的光电转换层上方的遮光部,该遮光部围绕各个透光部,各个透光部作为入射到光接收像素区域中的多个光电转换部中的各个上的光的光路;以及沿着光电转换层的主表面的遮光膜,所述遮光膜在遮光像素区域中的光电转换层上方,其中,所述遮光部包括下端和上端,该下端作为在垂直于所述光电转换层的主表面的第一方向上更靠近所述光电转换层的一端,该上端作为在第一方向上与所述遮光部的下端相对的一端,其中,遮光膜包括作为在第一方向上更靠近光电转换层的表面的下表面和作为在第一方向上与光电转换层相对的表面的上表面,其中,所述遮光部的上端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离长,其中,所述遮光部的下端与光电转换层之间的距离比遮光膜的下表面与光电转换层之间的距离短,其中,在包括遮光膜和所述遮光部的平面中,配设有由所述遮光部限定的开口和在所述遮光部与遮光膜之间的间隙,并且其中,间隙的在开口和间隙并排布置的第二方向上的宽度比开口在第二方向上的宽度窄。
通过参照附图对示例性实施例的以下描述,本发明的其他特征将变得显而易见。
附图说明
图1A是示出根据第一示例性实施例的光电转换装置的构造的平面图,并且图1B是示出光电转换装置和装备的示意图。
图2A是示出光电转换装置的包括区域的部分的平面图,并且图2B是光电转换装置的示意性截面图。
图3是示出光电转换装置的示意图。
图4A至图4C是各自示出光电转换装置的制造处理的示意图。
图5A至图5C是各自示出光电转换装置的制造处理的示意图。
图6A和图6B是各自示出光电转换装置的示意性截面图。
图7A和图7B是各自示出光电转换装置的示意性截面图。
图8A和图8B是各自示出光电转换装置的示意性截面图。
图9A和图9B是各自示出光电转换装置的示意性截面图。
图10A至图10C是各自示出光电转换装置的示意性截面图。
具体实施方式
下面将参照附图描述用于实现本公开的示例性实施例。在以下描述和附图中,整个附图中的相同部件由相同的附图标记标示。交叉参照附图描述相同的部件,并且适当地省略对由共同的附图标记标示的部件的冗余描述。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的