[发明专利]存储器设备和操作存储器设备的方法

说明书

本技术包括存储器设备和操作存储器设备的方法。存储器设备包括：控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为控制外围电路，使得编程操作被执行。控制逻辑电路控制外围电路，使得：当与第(N‑1)个编程状态对应的存储器单元的验证操作已经失败时，要被编程到第一至第(N‑1)个编程状态的存储器单元在验证操作期间使用主验证电压和小于主验证电压的子验证电压以双编程方法进行编程，并且要被编程到第N个编程状态的存储器单元在验证操作期间使用主验证电压以正常编程方法进行编程。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2020年9月2日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请号10-2020-0111857的优先权，其全部公开内容通过引用并入本文。

技术领域

本公开涉及存储器设备和操作该存储器设备的方法，并且更具体地，涉及能够执行编程操作的存储器设备和操作该存储器设备的方法。

背景技术

存储器设备可以包括易失性存储器设备以及非易失性存储器设备，在易失性存储器设备中，当电源被切断时所存储的数据被破坏；在非易失性存储器设备中，即使电源被切断，所存储的数据也能被保持。

易失性存储器设备可以包括动态随机存取存储器(DRAM)和静态随机存取存储器(SRAM)。非易失性存储器设备可以包括只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦除PROM(EPROM)、电EPROM(EEPROM)、NAND FLASH等。

存储器设备可以包括存储器单元阵列、外围电路和逻辑电路。

存储器单元阵列可以包括多个存储器单元，并且该多个存储器单元可以存储数据。在一个存储器单元中存储一位数据的方法称为单级单元(SLC)方法，在一个存储器单元中存储两位或更多位数据的方法称为多级单元(MLC)方法。根据存储在存储器单元中的位数，MLC方法的编程操作可以分为三级单元(TLC)方法或四级单元(QLC)方法。在TLC方法中，三位数据可以被存储在一个存储器单元中，而在QLC方法中，四位数据可以被存储在一个存储器单元中。

发明内容

根据本公开的实施例的存储器设备可以包括：存储器块，该存储器块包括多个页；外围电路，该外围电路被配置为执行编程操作，以将在从多个页中选择的页中所包括的存储器单元编程到第一至第N个编程状态，其中‘N’是大于或等于2的整数；以及控制逻辑电路，该控制逻辑电路被配置为控制外围电路，使得编程操作被执行。控制逻辑电路可以控制外围电路，使得：当与第(N-1)个编程状态对应的存储器单元的验证操作失败时，要被编程到第一至第(N-1)个编程状态的存储器单元在验证操作期间使用主验证电压和小于主验证电压的子验证电压以双编程方法进行编程，并且要被编程到第N个编程状态的存储器单元在验证操作期间使用主验证电压利用正常编程方法进行编程，并且控制逻辑电路可以控制外围电路，使得：当与第(N-1)个编程状态对应的存储器单元的验证操作已经通过时，要被编程到第N个编程状态的存储器单元的验证操作利用双编程方法来执行。

一种在用于将存储器单元编程到第一至第N个编程状态的编程操作中操作根据本公开的实施例的存储器设备的方法，其中‘N’是大于或等于2的整数，该方法可以包括：对要被编程到第一至第(N-1)个编程状态的存储器单元执行子编程操作、子验证操作和主验证操作，并且对要被编程到第N个编程状态的存储器单元执行子编程操作和主验证操作；以及当要被编程到第(N-1)个编程状态的存储器单元的主验证操作已经通过时，对要被编程到第N个编程状态的存储器单元执行子编程操作、子验证操作和主验证操作。

一种操作根据本公开的实施例的存储器设备的方法可以包括：根据目标电压将存储器单元编程到第一至第N个编程状态，并且通过混合正常编程方法和双编程方法来执行编程循环，直到其目标电压与第(N-1)个编程状态对应的存储器单元的编程操作被完成，其中‘N’是大于或等于2的整数；以及在其目标电压与第(N-1)个编程状态对应的存储器单元的编程操作已经完成之后，以双编程方法执行编程循环。

附图说明