[发明专利]一种深紫外LED的异质外延衬底及其制备方法和应用

权利要求书

1.一种深紫外LED的异质外延衬底，其特征在于，其为由纳米片和蓝宝石衬底构成的复合衬底；其中，所述纳米片均匀地物理覆盖于蓝宝石衬底表面，且所述纳米片的熔点高于深紫外LED外延材料的生长温度，且表面直径大小为5-1000nm；其中，所述纳米片为石墨烯纳米片或氮化硼纳米片。

2.一种如权利要求1所述的深紫外LED的异质外延衬底的制备方法，其特征在于，将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面，并通过干燥制备得到。

3.一种深紫外LED器件，其特征在于，采用如权利要求1所述的异质外延衬底。

4.根据权利要求3所述的深紫外LED器件，其特征在于，其结构从下往上依次为所述异质外延衬底、AlN本征层、N型AlGaN电子注入层、量子阱有源区、P型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层。

5.一种如权利要求4所述的深紫外LED器件的制备方法，其特征在于，包括：

将如权利要求1所述的深紫外LED的异质外延衬底直接置于金属有机化合物化学气相沉积系统内依次生长AlN本征层、N型AlGaN电子注入层、量子阱有源区、P型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层；

首先将纳米片以溶液的形式旋涂或喷涂于蓝宝石衬底表面，并通过干燥制备得到如权利要求1所述的深紫外LED的异质外延衬底，再将该异质外延衬底置于金属有机化合物化学气相沉积系统内依次生长AlN本征层、N型AlGaN电子注入层、量子阱有源区、P型AlGaN电子阻挡层和p型GaN层。