[发明专利]一种诱导硫系相变材料结晶的方法及其应用

权利要求书

1.一种诱导硫系相变材料结晶的方法，其特征在于，将介质材料与硫系相变材料的界面相接触，其中，所述介质材料的结构为八面体构型，与硫系相变材料在晶态时的局域结构相同，使得所述介质材料能够在两者接触的界面处为所述硫系相变材料的结晶提供晶核生长中心，从而使得硫系相变材料从该晶核中心开始生长，增加了硫系相变材料由非晶态转化为晶态过程中四元环的数量，由四元环构成的八面体结构也进一步增多，加速了硫系相变材料从四面体结构的非晶态转换为八面体结构的晶态，诱导所述相变材料加速结晶。

2.根据权利要求1所述的一种诱导硫系相变材料结晶的方法，其特征在于，所述介质材料的熔点高于所述硫系相变材料的熔化温度。

3.根据权利要求2所述的一种诱导硫系相变材料结晶的方法，其特征在于，所述介质材料选自氧化钛、氧化钇、氧化钪、氧化铝中的一种或多种。

4.一种相变存储器单元，其特征在于，所述存储器单元器件中，与硫系相变材料层所接触的所有介质材料层中，至少有一侧介质材料层的介质材料结构为八面体构型，与硫系相变材料在晶态时的局域结构相同；使得在所述硫系相变材料结晶过程中，所述介质材料能够在两者接触的界面处为所述硫系相变材料的结晶提供晶核生长中心，从而使得硫系相变材料从该晶核中心开始生长，增加了硫系相变材料由非晶态转化为晶态过程中四元环的数量，由四元环构成的八面体结构也进一步增多，加速了硫系相变材料从四面体结构的非晶态转换为八面体结构的晶态，诱导所述相变材料加速结晶。

5.根据权利要求4所述的一种相变存储器单元，其特征在于，所述介质材料选自氧化钛、氧化钇、氧化钪、氧化铝中的一种或多种。

6.根据权利要求4或5所述的一种相变存储器单元，其特征在于，其结构为横向纳米结构，则与硫系相变材料层接触的所有介质材料层为与硫系相变材料层接触左、右接触的两层介质材料层；或者，其结构为竖直小孔型结构，则与硫系相变材料层接触的所有介质材料层为与硫系相变材料层接触上、下接触的两层介质材料层；或者，其结构为介质材料包裹硫系相变材料的结构，则与硫系相变材料层接触的所有介质材料层为与硫系相变材料层接触上、下、左、右接触的四层介质材料层。

7.一种如权利要求4至6任一项所述的相变存储器单元的制备方法，其特征在于，在制备过程中，选择结构为八面体构型的介质材料，作为与硫系相变材料层所接触的所有介质材料层中其中至少一层的材料。