[发明专利]嵌入式闪存高速编程的实现方法、嵌入式闪存的编程系统

说明书

本申请涉及一种嵌入式闪存高速编程的实现方法及编程系统，该系统包括：上位机、调试接口和微控制器，微控制器包括静态存储器和闪存，静态存储器包括程序代码区、控制交换区和数据缓冲区。上位机获取静态存储器和闪存的参数，将闪存编程代码写入程序代码区；微控制器运行程序代码区中的闪存编程代码并将正常运行标志写入控制交换区；上位机读取正常运行标志，配置数据在闪存中的写入地址，将待写入数据传输至数据缓冲区，将操作命令写入控制交换区；微控制器读取操作命令和写入地址，将数据缓冲区中的待写入数据写入闪存后在控制交换区写入操作结果和编程结果应答；上位机获取编程结果应答，根据已写入闪存的数据的大小修改写入地址。微控制器在编程系统的运行过程中不中断。

技术领域

本申请涉及嵌入式闪存编程领域，更涉及一种嵌入式闪存高速编程的实现方法及嵌入式闪存的编程系统。

背景技术

FLASH编程是MCU调试的重要环节。在程序映像创建完成后，需要将程序下载到MCU的FLASH存储器中。调试适配器通过USB/以太网与PC端相连，遵从调试协议JTAG/串行线调试协议，通过MCU的调试访问端口（DAP），经存储器访问端口模块(AHB-AP)将调试适配器发来的命令最终转换为基于高级高性能总线（AHB）的协议，AHB-AP模块与MCU内部总线系统相连，使得调试适配器可以访问所有存储器、外设、调试部件以及处理器内的调试寄存器，从而完成编程源（上位机）到编程目标（MCU）的数据传输任务。

在现有的FLASH编程方法中，大部分使用FlashLoader将代码下载到目标MCU的FLASH存储器中。这种方法将目标MCU的内核寄存器作为上位机与MCU之间的参数和指令的交换区。MCU运行过程中，上位机无法访问目标MCU的内核寄存器，所以MCU每完成一轮数据块的编程并返回应答至内核寄存器后，都会产生中断，直到上位机在内核寄存器中读取分析应答并写入下一轮操作的参数和指令后，MCU才重新运行并开启下一轮数据编程。内核寄存器的访问速度很慢，同时MCU从停止状态到运行状态需要时间开销，如此经过多轮的编程操作后，造成了耗时多效率低的问题，不能很好地应对复杂的编程情况。

因而，现有的FLASH编程实现方法还有待改进和提高。

发明内容

本申请的目的在于提供一种嵌入式闪存高速编程的实现方法，使得MCU在FLASH编程过程中不产生中断。

本申请公开了一种嵌入式闪存高速编程的实现方法，用于实现编程系统中闪存的编程，所述编程系统包括：上位机、调试接口和微控制器，所述微控制器包括静态存储器和闪存，所述静态存储器包括程序代码区、控制交换区和数据缓冲区，所述上位机通过所述调试接口与所述微控制器在所述静态存储器中进行命令和数据的传输，其中，所述方法包括如下步骤：

所述上位机通过所述调试接口获取所述静态存储器和所述闪存的参数，并将闪存编程代码写入所述程序代码区；

所述微控制器运行所述程序代码区中的闪存编程代码并将正常运行标志写入所述控制交换区；

所述上位机读取所述正常运行标志，配置数据在所述闪存中的写入地址，并且，将待写入数据传输至所述数据缓冲区，将操作命令写入所述控制交换区；

所述微控制器读取所述操作命令和所述写入地址，将所述数据缓冲区中的待写入数据写入所述闪存后在所述控制交换区写入操作结果和编程结果应答；

所述上位机获取所述编程结果应答，并根据已写入所述闪存的数据的大小修改所述写入地址用于对所述闪存进行下一轮编程；

其中，所述微控制器在所述编程系统的运行过程中不产生中断。

在一个优选例中，所述控制交换区包括参数区和指令区，所述参数区用于存储所述写入地址和所述操作结果，所述指令区用于存储所述操作命令、所述正常运行标志和所述编程结果应答。