[发明专利]嵌入式闪存高速编程的实现方法、嵌入式闪存的编程系统有效
申请号: | 202110397302.7 | 申请日: | 2021-04-14 |
公开(公告)号: | CN112802527B | 公开(公告)日: | 2021-07-02 |
发明(设计)人: | 汤臻;章锡翔;刘强;吴忠洁 | 申请(专利权)人: | 上海灵动微电子股份有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/20 |
代理公司: | 上海一平知识产权代理有限公司 31266 | 代理人: | 吴珊;成春荣 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 嵌入式 闪存 高速 编程 实现 方法 系统 | ||
1.一种嵌入式闪存高速编程的实现方法,其特征在于,用于实现编程系统中闪存的编程,所述编程系统包括:上位机、调试接口和微控制器,所述微控制器包括静态存储器和闪存,所述静态存储器包括程序代码区、控制交换区和数据缓冲区,所述上位机通过所述调试接口与所述微控制器在所述静态存储器中进行命令和数据的传输,其中,所述方法包括如下步骤:
所述上位机通过所述调试接口获取所述静态存储器和所述闪存的参数,并将闪存编程代码写入所述程序代码区;
所述微控制器运行所述程序代码区中的闪存编程代码并将正常运行标志写入所述控制交换区;
所述上位机读取所述正常运行标志,配置数据在所述闪存中的写入地址,并且,将待写入数据传输至所述数据缓冲区,将操作命令写入所述控制交换区;
所述微控制器读取所述操作命令和所述写入地址,将所述数据缓冲区中的待写入数据写入所述闪存后在所述控制交换区写入操作结果和编程结果应答;
所述上位机获取所述编程结果应答,并根据已写入所述闪存的数据的大小修改所述写入地址用于对所述闪存进行下一轮编程;
其中,所述微控制器在所述编程系统的运行过程中不产生中断。
2.根据权利要求1所述的嵌入式闪存高速编程的实现方法,其特征在于,所述控制交换区包括参数区和指令区,所述参数区用于存储所述写入地址和所述操作结果,所述指令区用于存储所述操作命令、所述正常运行标志和所述编程结果应答。
3.根据权利要求1所述的嵌入式闪存高速编程的实现方法,其特征在于,根据所述已写入所述闪存的数据的大小修改所述写入地址的步骤,还包括:将所述写入地址加上已写入所述闪存的数据的大小生成新的写入地址。
4.根据权利要求1所述的嵌入式闪存高速编程的实现方法,其特征在于,获取所述静态存储器和所述闪存参数的步骤,还包括:所述上位机判断所述写入地址是否大于所述闪存的最大存储地址,如大于,则编程结束。
5.根据权利要求1所述的嵌入式闪存高速编程的实现方法,其特征在于,还包括:所述上位机判断待写入的数据是否全部传输到所述数据缓冲区,如全部传输完成,则编程结束。
6.根据权利要求1所述的嵌入式闪存高速编程的实现方法,其特征在于,还包括:所述微控制器若在一定时间内未读取到控制交换区的指令,则全部传输完成,编程结束。
7.一种嵌入式闪存的编程系统,其特征在于,包括:上位机、调试接口和微控制器,所述微控制器包括静态存储器和闪存,所述静态存储器包括程序代码区、控制交换区和数据缓冲区,所述上位机通过所述调试接口与所述微控制器在所述静态存储器中进行命令和数据的传输,其中,所述微控制器被配置为执行如下步骤:
提供所述静态存储器和所述闪存的参数供所述上位机获取;
运行所述上位机通过所述调试接口写入所述程序代码区中的闪存编程代码;
将正常运行标志写入所述控制交换区供所述上位机读取;
读取所述上位机写入所述控制交换区中的操作命令和所述上位机配置的数据在所述闪存中的写入地址;
将所述上位机传输至所述数据缓冲区中的待写入数据写入所述闪存后在所述控制交换区写入操作结果和编程结果应答供所述上位机获取;
其中,所述微控制器在所述编程系统的运行过程中不产生中断。
8.根据权利要求7所述的嵌入式闪存的编程系统,其特征在于,所述控制交换区包括参数区和指令区,所述参数区用于存储所述写入地址和所述操作结果,所述指令区用于存储所述操作命令、所述正常运行标志和所述和编程结果应答。
9.根据权利要求7所述的嵌入式闪存的编程系统,其特征在于,所述上位机将所述写入地址加上已写入所述闪存的数据的大小生成新的写入地址,并且,所述上位机判断所述写入地址是否大于所述闪存的最大存储地址,如大于,则编程结束。
10.根据权利要求7所述的嵌入式闪存的编程系统,其特征在于,所述微控制器若在一定时间内未读取到控制交换区的指令,则全部传输完成,编程结束。
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