[发明专利]基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法在审
| 申请号： | 202110396600.4 | 申请日： | 2021-04-13 |
| 公开（公告）号： | CN113130337A | 公开（公告）日： | 2021-07-16 |
| 发明（设计）人： | 钱新;陈桂;肖晓雨;晏雅媚;朱文辉 | 申请（专利权）人： | 长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学 |
| 主分类号： | H01L21/603 | 分类号： | H01L21/603 |
| 代理公司： | 长沙轩荣专利代理有限公司 43235 | 代理人： | 黄艺平 |
| 地址： | 410000 湖南省长沙市长沙高新开发区*** | 国省代码： | 湖南;43 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 基于 aca acf 高密度 间距 芯片 可靠性 倒装 互连 工艺 | ||
1.一种基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：在芯片上涂一层不高于凸点高度的绝缘胶，且使绝缘胶不覆盖凸点的顶端；
步骤2：在基板上涂覆一层各向异性导电胶，然后将芯片和基板进行热压键合，得到高可靠性的互连。
2.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，其特征在于，所述凸点的间距为10um以下。
3.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，所述绝缘胶的厚度与凸点的高度差不大于0.5um。
4.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，涂覆各向异性导电胶前，将基板进行预热。
5.根据权利要求4所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，所述预热温度为60～90℃，时间2～5s。
6.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，所述绝缘胶的粘度大于各向异性导电胶的粘度。
7.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，所述各向异性导电胶的厚度为10～20um，且在键合时与绝缘胶充分接触。
8.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，热压键合时，芯片凸点与基板焊盘对齐，所述绝缘胶的覆盖面积大于各向异性导电胶的覆盖面积。
9.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，所述热压键合的温度为150～210℃；压力为15～60MPa；时间为8～15s。
10.根据权利要求1所述的基于ACA/ACF的高密度窄间距芯片高可靠性倒装互连的两步工艺法，所述各向异性导电胶中的导电粒子的直径小于1.5um。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学，未经长沙安牧泉智能科技有限公司;中南大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110396600.4/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：电极和锂离子电池
- 下一篇：联合递送化疗药物和免疫检查点抗体药物的纳米颗粒
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
