[发明专利]一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法在审

专利信息
申请号: 202110394798.2 申请日: 2021-04-13
公开(公告)号: CN112865649A 公开(公告)日: 2021-05-28
发明(设计)人: 康尔良;陈健 申请(专利权)人: 哈尔滨理工大学
主分类号: H02P21/18 分类号: H02P21/18;H02P21/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 150080 黑龙*** 国省代码: 黑龙江;23
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摘要:
搜索关键词: 一种 基于 神经元 pid 控制器 mras 速度 估计 方法
【权利要求书】:

1.一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于,包括以下步骤:

步骤1:根据永磁同步电机同步旋转坐标系下的数学模型,构建其在采用id=0矢量控制策略时,基于q轴电流MRAS的参考模型和可调模型;

步骤2:基于Popov超稳定性理论,选择合适的自适应律,得出ω*的辨识方法;

步骤3:由ω*的辨识方法得到系统输出广义误差ei

步骤4:计算出单神经元PID控制器中状态转换器的3个状态变量x1(k)x2(k)x3(k);

步骤5:神经元PID控制器的学习算法采用规范化的有监督Hebb学习算法,由此计算出ω*(k)w′i(k)w1(k)w2(k)w3(k)的值;

步骤6:采用增强式数字PID控制算法,计算得到神经元PID控制器的输出;

步骤7:对基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法仿真。

2.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤1中,基于q轴电流MRAS的参考模型和可调模型是:

式中,ωω*分别是实际和估计的转子角速度;iq分别是实际和估计的q轴电流;uq是q轴电压;R是定子绕组电阻;ψr是转子磁链;Ls是同步电感。

3.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤2中选取自适应律是得出的ω*的辨识方法是:

4.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤3中得出的系统输出广义误差ei是:

5.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤4中3个状态变量x1(k)x2(k)x3(k)分别是:

6.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤5中ω*(k)w′i(k)w1(k)w2(k)w3(k)的值分别是:

7.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤6中神经元PID控制器的输出是:

8.根据权利要求1所述的一种基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计方法,其特征在于:步骤7中在Simulink中搭建基于单神经元PID控制器的MRAS速度估计模型。

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