[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法

说明书

提供了显示装置和制造该显示装置的方法。显示装置包括基础层，设置在基础层上且包括薄膜晶体管的像素以及连接到像素的信号线。信号线包括金属层和设置在金属层上的包括钼和钽的封盖层。金属层具有第一光反射率，且封盖层具有比金属层的第一光反射率低的第二光反射率。封盖层包括从金属层的侧壁突出的尖端，并且当在平面图中时，该尖端比金属层的侧壁与基础层接触处的接触点突出更多。该显示装置具有改善的外部光反射特性和提高的显示质量。

相关申请的交叉引用

此专利申请要求于2020年4月10日提交的韩国专利申请号10-2020-0044288的优先权，其公开内容通过引用整体在此并入。

技术领域

本公开涉及显示装置及其制造方法。更具体地，本公开涉及能够赋予低光学反射特性的显示装置和制造该显示装置的方法。

背景技术

显示装置包括信号线和连接到信号线以显示图像的电子元件。信号线和电子元件通过导电层形成。通过包括在导电层中的金属材料反射的外部光，包括金属材料的导电层对用户是可见的。由于外部光的反射，信号线或电子元件可能对显示装置所显示的图像的可见性施加影响。

发明内容

本公开提供了能够保持低反射特性的显示装置。

本公开也提供了制造显示装置的方法。

根据一个实施方式，显示装置包括基础层；设置在基础层上且包括薄膜晶体管的像素；以及连接到像素的信号线。信号线包括具有第一光反射率的金属层和设置在的金属层上的封盖层，该封盖层包括钼和钽并且具有低于金属层的第一光反射率的第二光反射率。封盖层包括从金属层的侧壁突出的尖端，并且当在平面图中时，该尖端比金属层的侧壁与基础层接触处的接触点突出更多。

当尖端的长度d可满足d≥h/(tan(90°-θ_α))+h/(tan(θ_β))的条件时，其中h表示金属层的第一厚度，θ_α表示显示装置的最外视角，并且θ_β表示金属层的锥角。

长度d可等于或大于约4000埃且等于或小于约6000埃。

h可等于或大于约5000埃且等于或小于约10000埃。

封盖层中钼与钽的含量比可为约80:20至约97:3。

封盖层可在等于或大于约400nm且等于或小于约800nm的波长范围内具有等于或小于约20％的平均光反射率，且封盖层可具有等于或大于约500埃且等于或小于约1500埃的第二厚度。

封盖层可包括钼氧化物(MoO₂)和钽氧化物(TaO)。

金属层可包括包含第一金属材料的第一金属层和包含第二金属材料的第二金属层，并且第一金属层和第二金属层可按顺序堆叠。

第一金属层包括难熔金属，该难熔金属包括铌(Nb)、钒(V)、钽(Ta)、钛(Ti)、锆(Zr)、铪(Hf)、钼(Mo)、铼(Re)或钨(W)中的至少一种，并且第二金属层可包括铜(Cu)、银(Ag)、铝(Al)或其合金。

金属层可包括包含金属材料的金属层主体和设置在金属层主体的侧面上的金属氧化物层。金属氧化物层可对应于金属层的侧壁。

金属氧化物层可包括钛氧化物或铜氧化物。

金属氧化物层可包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层，该第一金属氧化物层包括第一金属材料的第一氧化物并设置在第一金属层的第一侧面上，该第二金属氧化物层包括第二金属材料的第二氧化物并设置在第二金属层的第二侧面上。

封盖层可与金属层接触。