[发明专利]显示装置和制造该显示装置的方法在审
申请号: | 202110383406.2 | 申请日: | 2021-04-09 |
公开(公告)号: | CN113514992A | 公开(公告)日: | 2021-10-19 |
发明(设计)人: | 白炅旼;申铉亿;李周炫 | 申请(专利权)人: | 三星显示有限公司 |
主分类号: | G02F1/1362 | 分类号: | G02F1/1362;H01L27/32 |
代理公司: | 北京德琦知识产权代理有限公司 11018 | 代理人: | 周丹;朴圣洁 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 显示装置 制造 方法 | ||
1.一种显示装置,包括:
基础层;
设置在所述基础层上且包括薄膜晶体管的像素;以及
连接到所述像素的信号线,
其中所述信号线包括:
具有第一光反射率的金属层;以及
设置在所述金属层上的封盖层,所述封盖层包括钼和钽,并且具有比所述金属层的所述第一光反射率低的第二光反射率,
其中所述封盖层包括从所述金属层的侧壁突出的尖端,并且当在平面图中时,所述尖端比所述金属层的所述侧壁与所述基础层接触处的接触点突出更多。
2.如权利要求1所述的显示装置,其中,所述尖端的长度d满足d≥h/(tan(90°-θα))+h/(tan(θβ))的条件,其中h表示所述金属层的第一厚度,θα表示所述显示装置的最外视角,并且θβ表示所述金属层的锥角。
3.如权利要求2所述的显示装置,其中所述长度d等于或大于4000埃且等于或小于6000埃。
4.如权利要求2所述的显示装置,其中所述h等于或大于5000埃且等于或小于10000埃。
5.如权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层中所述钼与所述钽的含量比为80:20至97:3。
6.如权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层在等于或大于400nm且等于或小于800nm的波长范围内具有等于或小于20%的平均光反射率,并且所述封盖层具有等于或大于500埃且等于或小于1500埃的第二厚度。
7.如权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层包括钼氧化物和钽氧化物。
8.如权利要求1所述的显示装置,其中所述金属层包括包含第一金属材料的第一金属层和包含第二金属材料的第二金属层,并且所述第一金属层和所述第二金属层按顺序堆叠。
9.如权利要求8所述的显示装置,其中所述第一金属层包括包含铌、钒、钽、钛、锆、铪、钼、铼和钨中的至少一种的难熔金属,并且所述第二金属层包括铜、银、铝或其合金。
10.如权利要求1所述的显示装置,其中所述金属层包括:
包括金属材料的金属层主体;以及
设置在所述金属层主体的侧面上的金属氧化物层,
其中所述金属氧化物层对应于所述金属层的所述侧壁。
11.如权利要求10所述的显示装置,其中所述金属氧化物层包括钛氧化物或铜氧化物。
12.如权利要求10所述的显示装置,其中所述金属层包括包含第一金属材料的第一金属层和包含第二金属材料的第二金属层,所述第一金属层和所述第二金属层按顺序堆叠,
其中所述金属氧化物层包括第一金属氧化物层和第二金属氧化物层,所述第一金属氧化物层包括所述第一金属材料的第一氧化物并设置在所述第一金属层的第一侧面上,所述第二金属氧化物层包括所述第二金属材料的第二氧化物并设置在所述第二金属层的第二侧面上。
13.如权利要求1所述的显示装置,其中所述封盖层与所述金属层接触。
14.如权利要求1所述的显示装置,进一步包括设置在第一层中的第一信号线和设置在不同于所述第一层的第二层中的第二信号线,
其中所述第一信号线和所述第二信号线彼此隔开,绝缘层插入在所述第一信号线和所述第二信号线之间,
其中所述薄膜晶体管包括设置在所述第一层中的控制电极、设置在所述第二层中的输入电极以及设置在所述第二层中且与所述输入电极隔开的输出电极,
其中所述像素的显示元件连接到所述输出电极,并且
其中所述控制电极、所述输入电极和所述输出电极中的至少一个包括所述金属层和所述封盖层。
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