[发明专利]硅基红外探测器芯片背面减薄方法及硅基红外探测器芯片

权利要求书

1.一种硅基红外探测器芯片背面减薄方法，其特征在于，包括：

沿焦平面阵列本体的四周涂抹光刻胶，以遮挡所述焦平面阵列本体的四周与读出电路板所形成的缝隙；

对所述焦平面阵列本体的衬底进行背面减薄相关工艺；

去除所述光刻胶；

所述去除所述光刻胶，包括：

将完成背面减薄相关工艺的硅基红外探测器芯片放置在盛有丙酮溶液的培养皿内浸泡第三预设时间段；

在50倍体式显微镜视野内，采用干净软毛笔在丙酮溶液中轻轻划动光刻胶；

继续浸泡第四预设时间段后取出硅基红外探测器芯片，并用氮气枪吹干；

所述沿焦平面阵列本体的四周涂抹光刻胶，包括：

用胶管将光刻胶滴在干净的陶瓷板上，并在室温和氮气氛围下静置第一预设时间段；

采用无水乙醇棉球清洁铟凸点缝隙间不填充胶水且待背面减薄的硅基红外探测器芯片；

采用干净软毛笔蘸取所述光刻胶，沿同一方向涂抹所述焦平面阵列本体的四周，并保证在金相显微镜100倍放大倍数下观察所述光刻胶没有气泡，若存在气泡，则沿所述焦平面阵列本体的四周二次涂抹光刻胶，同时保证所述焦平面阵列与所述读出电路接触的四周均有光刻胶涂抹；将涂抹光刻胶后的硅基红外探测器芯片放置在室温和氮气氛围下静置第二预设时间段。

2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述光刻胶的粘稠度为45～60cps；

所述第一预设时间段为0.5～1h；

所述干净软毛笔的笔头直径低于4mm；

所述第二预设时间段大于12h。

3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述对所述焦平面阵列本体的衬底进行背面减薄相关工艺，包括：

按照常规硅材料减薄和常规红外探测器芯片衬底减薄工艺进行保护电路焊盘、粘接芯片、减薄处理、取片以及清洁粘接剂。

4.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第三预设时间段为15～20mins；

所述第四预设时间段为15～20mins。

5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶，还包括：

依次用丙酮枪、无水乙醇枪喷洗用氮气枪吹干后的硅基红外探测器芯片。

6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述用丙酮枪喷洗用氮气枪吹干后的硅基红外探测器芯片，包括：

用压力为3kg的丙酮枪距离硅基红外探测器芯片5～8cm处，以40～60度角喷洗硅基红外探测器芯片5～10mins；

用压力为3kg的无水乙醇枪距离硅基红外探测器芯片5～8cm处，以40～60度角对硅基红外探测器芯片进行喷洗，喷洗3～5mins。

7.如权利要求6所述的方法，其特征在于，所述去除所述光刻胶，还包括：

在金相显微镜100倍放大倍数下观察硅基红外探测器芯片是否存留光刻胶。

8.一种硅基红外探测器芯片，其特征在于，所述硅基红外探测器芯片采用如权利要求1-7中任一项所述的方法处理获得。