[发明专利]一种闪存的擦除方法及相关装置

说明书

本申请公开了一种闪存的擦除方法，该方法应用于终端或闪存。该方法包括：首先，获取目标页面中存储有电荷的目标存储单元的个数，所述目标页面为闪存中待擦除的页面；然后，根据所述目标存储单元的个数确定所述目标页面的擦除时长；最后，根据所述目标页面的擦除时长，对所述目标页面执行擦除操作。本方案中，通过基于目标页面中存储有电荷的存储单元的个数来决定目标页面的实际擦除时长，能够有效降低闪存中的页面擦除时长，提高页面擦除效率。

技术领域

本申请涉及数据存储技术领域，尤其涉及一种闪存的擦除方法及相关装置。

背景技术

随着各种电子设备的迅速发展和广泛应用，例如计算机、智能手机以及数码相机等电子设备，非易失性存储器得到了广泛的使用。在非易失性存储器中，闪存(flashmemory)的使用最为广泛。

受限于闪存的数据存储方式，对闪存的写入操作只能在闪存中电荷为空的存储单元中进行。因此，在大多数情况下，在对闪存执行数据写入操作之前，需要对闪存执行擦除操作，以清空闪存中的存储单元的电荷。

目前，通常是以闪存中的单个页面为最小擦除单位，对闪存执行擦除操作。在相关技术中，对闪存中的页面执行擦除操作的过程是：根据默认的擦除时长，对整个页面中的存储单元进行放电。由于在相关技术中，对于闪存中的每个页面，都需要执行默认的擦除时长，因此对闪存执行擦除操作需要耗费较多的时间，擦除效率低。

发明内容

本申请实施例提供了一种闪存的擦除方法，通过获取闪存的页面中存储有电荷的存储单元的个数，来确定页面的实际擦除时长。由于在大多数情况下，页面中只有部分存储单元是存储有电荷的，因此页面的实际擦除时长小于页面的默认擦除时长。通过本方案，能够有效降低闪存中的页面擦除时长，提高页面擦除效率。

本申请第一方面提供一种闪存的擦除方法，该方法可以应用于终端或闪存。在该方法应用于终端的情况下，终端获取目标存储单元的个数，所述目标存储单元为目标页面中存储有电荷的存储单元，所述目标页面为闪存中任意一个待擦除的页面。其中，闪存中包括大量的存储单元，每一个存储单元包括能够保存电荷的浮动栅极场效应晶体管。闪存是通过改变浮动栅极中电荷的数量来存储数据。终端可以是向闪存发送指令，来查询闪存的目标页面中的所有存储单元的电荷存储情况，从而获取目标存储单元的个数。终端根据所述目标存储单元的个数确定所述目标页面的擦除时长。所述目标存储单元的个数越多，则所述目标页面的擦除时长越长；所述目标存储单元的个数越少，则所述目标页面的擦除时长越短。最后，终端根据所述目标页面的擦除时长，对所述目标页面执行擦除操作，以使得对所述目标页面执行擦除操作的时长为所述目标页面的擦除时长。其中，所述目标页面的擦除时长实际上即为对目标页面中的存储单元进行放电的时长。

本方案中，通过获取闪存的页面中存储有电荷的存储单元的个数，来确定页面的实际擦除时长。由于在大多数情况下，页面中只有部分存储单元是存储有电荷的，因此页面的实际擦除时长小于页面的默认擦除时长。通过本方案，能够有效降低闪存中的页面擦除时长，提高页面擦除效率。

在一种可能的实现方式中，所述终端根据所述目标存储单元的个数确定所述目标页面的擦除时长，包括：终端根据所述目标存储单元的个数获取目标比值，所述目标比值为所述目标存储单元的个数与所述目标页面中的存储单元的总个数的比值。然后，终端根据所述目标比值和第一时长，确定所述目标页面的擦除时长，所述第一时长为所述目标页面的预设擦除时长(即目标页面的默认擦除时长)，所述目标页面的擦除时长小于或等于所述第一时长。具体地，终端可以通过求取目标比值和第一时长的乘积，来确定目标页面的擦除时长。

在一种可能的实现方式中，所述终端根据所述目标存储单元的个数确定所述目标页面的擦除时长，包括：终端根据所述目标存储单元的个数以及第二时长，确定所述目标页面的擦除时长，所述第二时长为单个存储单元的预设擦除时长。也就是说，终端根据目标存储单元的个数以及每个存储单元的默认擦除时长来确定目标页面的擦除时长。