[发明专利]一种掩膜版框架重复使用的方法、掩膜版框架和掩膜版

说明书

本发明提供了一种掩膜版框架重复使用的方法、掩膜版框架和掩膜版，解决了掩膜版框架不能重复利用，导致工艺成本过高，且浪费资源的问题。所述掩膜版框架包括多条边框，每条所述边框包括X个焊接区域，其中X≥2；所述掩膜版框架重复使用的方法包括：第n次焊接张网，其中第n次焊接张网包括将待焊接张网焊接在所述边框的第m焊接区域，其中，n≥1，1≤m≤X；第n+i次焊接张网，i≥1,其中第n+i次焊接张网包括将待焊接张网焊接在第q焊接区域，1≤q≤X,且q不等于m；或，打磨第m焊接区域，将待焊接张网焊接在打磨后的所述第m焊接区域。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，具体涉及一种掩膜版框架重复使用的方法、掩膜版框架和掩膜版。

背景技术

在柔性Oled(OrganicLight-Emitting Diode，有机发光二极管)器件的封装工艺中，掩膜版是最重要的一个器件之一，而掩膜版的耗费在各个工艺均占了极大的比重。OpenMask(开放式掩膜版)与CVD Mask(化学气相沉积掩膜版)的耗费主要由其制作成本决定，制作成本中掩膜版框架的费用又占了较高的比重，在工艺过程中掩膜版框架由于不能重复利用需要不断更换，导致工艺成本过高，且浪费资源。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种掩膜版框架重复使用的方法、掩膜版框架和掩膜版，解决了掩膜版框架不能重复利用，导致工艺成本过高，且浪费资源的问题。

本发明一实施例提供的一种掩膜版框架重复使用的方法包括：所述掩膜版框架包括多条边框，每条所述边框包括X个焊接区域，其中X≥2；所述掩膜版框架重复使用的方法包括：第n次焊接张网，其中第n次焊接张网包括将待焊接张网焊接在所述边框的第m焊接区域，其中，n≥1，1≤m≤X；第n+i次焊接张网，i＝1,其中第n+i次焊接张网包括将待焊接张网焊接在第q焊接区域，1≤q≤X,且q不等于m；或，打磨第m焊接区域，将待焊接张网焊接在打磨后的所述第m焊接区域。

在一种实施方式中，所述打磨第m焊接区域，将待焊接张网焊接在打磨后的所述第m焊接区域的步骤包括：当所述第m焊接区域的厚度大于预设厚度时，所述第m焊接区域不再进行打磨。

在一种实施方式中，在所述第n+i次焊接张网的步骤之前还包括：从所述第m焊接区域去除所述第m焊接区域已经焊接的张网。

在一种实施方式中，所述第n+i次焊接张网包括将待焊接张网焊接在第q焊接区域的步骤包括：重复将待焊接张网焊接在第q焊接区域的步骤，直到所有焊接区域均被焊接过张网；之后再进行下一次焊接时，打磨第m焊接区域，将待焊接张网焊接在打磨后的所述第m焊接区域。

在一种实施方式中，所述打磨第m焊接区域，将待焊接张网焊接在打磨后的所述第m焊接区域的步骤包括：重复打磨所述第m焊接区域，将待焊接张网焊接在打磨后的第m焊接区域的步骤，直到所述第m焊接区域的厚度等于预设厚度；之后再进行下一次焊接时，将待焊接张网焊接在第q焊接区域。

在一种实施方式中，所述第m焊接区域位于所述边框的内侧，所述第q焊接区域位于所述边框的外侧。

在一种实施方式中，所述第q焊接区域位于所述边框的内侧，所述第m焊接区域位于所述边框的外侧。

在一种实施方式中，所述掩膜版框架重复焊接的次数F＝X*(Y+1)；其中，X为所述焊接区域的总个数；Y为每个所述焊接区域打磨到预设厚度的次数。

一种掩膜版框架，包括：多条边框，其中每条所述边框包括X个焊接区域，其中X≥2；所述X个焊接区域包括用于第n次焊接待焊接张网的第m焊接区域和用于第n+i次焊接待焊接张网的焊接区域，所述用于第n+i次焊接待焊接张网的焊接区域包括打磨后的所述第m焊接区域或第q焊接区域，其中1≤m≤X，1≤q≤X,且q不等于n，i＝1，n＝1；所述打磨后的所述第m焊接区域为第n次焊接待焊接张网后，去除所述第m焊接区域焊接的张网，并对去除了所述张网的所述第m焊接区域打磨得到。