[发明专利]一种六方晶型籽晶的制备方法有效
| 申请号： | 202110363902.1 | 申请日： | 2021-04-02 |
| 公开（公告）号： | CN113089084B | 公开（公告）日： | 2022-02-25 |
| 发明（设计）人： | 王宇;杨田;梁振兴 | 申请（专利权）人： | 眉山博雅新材料股份有限公司 |
| 主分类号： | C30B23/00 | 分类号： | C30B23/00;C30B29/36 |
| 代理公司： | 成都七星天知识产权代理有限公司 51253 | 代理人： | 严芳芳 |
| 地址： | 620010 四川省眉*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 六方晶型 籽晶 制备 方法 | ||
1.一种六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述方法包括：
对多个待扩径六方晶型籽晶分别进行第一切割，得到切割面为相同晶面族的多个正六边形六方晶型籽晶；所述第一切割的切割方向为垂直于籽晶(0001)面的方向；
将所述多个正六边形六方晶型籽晶的切割面进行拼接；其中，
以一个所述正六边形六方晶型籽晶为中心，所述为中心的正六边形六方晶型籽晶的六条边分别与六个不同的所述正六边形六方晶型籽晶的各一条边拼接；
所述为中心的正六边形六方晶型籽晶的表面积为目标六方晶型籽晶的表面积的25％-55％；
对拼接的所述多个正六边形六方晶型籽晶进行第二切割，得到待生长六方晶型籽晶；
在第一设定条件下，对所述待生长六方晶型籽晶进行缝隙生长，得到六方晶型籽晶中间体；以及
在第二设定条件下，对所述六方晶型籽晶中间体进行外延生长，得到目标六方晶型籽晶，其中，
所述目标六方晶型籽晶的直径大于所述待扩径六方晶型籽晶的直径。
2.根据权利要求1所述的六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述晶面族为或
3.根据权利要求1所述的六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述对拼接的所述多个正六边形六方晶型籽晶进行第二切割包括：
以所述为中心的正六边形六方晶型籽晶的中心点为圆心，以设定半径为半径，进行圆形切割。
4.根据权利要求1所述的六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述第一设定条件包括第一设定温度、第一设定压力、第一设定碳硅比和设定缝隙生长时间，其中，
所述第一设定温度在1000℃-2000℃范围内，
所述第一设定压力在10Pa-1000Pa范围内，以及
所述第一设定碳硅比在1.0-10.0范围内。
5.根据权利要求1所述的六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述第二设定条件包括第二设定温度、第二设定压力和第二设定碳硅比，其中，
所述第二设定温度在1100℃-2000℃范围内，
所述第二设定压力在10Pa-1000Pa范围内，以及
所述第二设定碳硅比在0.1-2范围内。
6.根据权利要求1所述的六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述方法还包括：
进行所述缝隙生长之前，在第三设定条件下对所述待生长六方晶型籽晶进行原位刻蚀。
7.根据权利要求6所述的六方晶型籽晶的制备方法，其特征在于，所述第三设定条件包括通入设定流量的设定气体、第三设定温度和第三设定压力，其中，
所述设定气体包括氢气，所述设定流量在5L/min-200L/min范围内，
所述第三设定温度在1200℃-1500℃范围内，以及
所述第三设定压力在1kPa-12kPa范围内。
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