[发明专利]一种基于多个光互连结构的光纤拉远处理器模组结构有效

专利信息
申请号: 202110361540.2 申请日: 2021-04-02
公开(公告)号: CN115185044B 公开(公告)日: 2023-09-19
发明(设计)人: 牛星茂;薛海韵;刘丰满 申请(专利权)人: 中国科学院微电子研究所
主分类号: G02B6/42 分类号: G02B6/42
代理公司: 北京天达知识产权代理事务所有限公司 11386 代理人: 庞许倩
地址: 100029 *** 国省代码: 北京;11
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 一种 基于 多个光 互连 结构 光纤 远处 模组
【权利要求书】:

1.一种基于多个光互连结构的光纤拉远处理器模组结构,其特征在于,包括多个光互连结构、开关组件、第一印刷电路板、第二印刷电路板以及处理器芯片;

所述光互连结构包括转接板、光电转换芯片、驱动电路芯片、放大电路芯片、串并转换芯片以及第二电连接器;

所述光电转换芯片、驱动电路芯片、放大电路芯片以及串并转换芯片位于所述转接板的上表面,所述第二电连接器位于所述光互连结构侧端的上表面和/或下表面,所述第二电连接器与所述第一印刷电路板电连接;

所述光互连结构垂直设置于所述第一印刷电路板的第一侧面,所述光互连结构通过其侧端与所述第一印刷电路板连接,所述光互连结构用于实现低速电信号与载波光学信号之间的转换;

所述开关组件位于所述第一印刷电路板的第一侧面或者第二侧面,用于控制所述各个光互连结构与所述处理器芯片之间的导通或者关断;

所述第二印刷电路板垂直设置于所述第一印刷电路板的第二侧面,并通过第一电连接器与所述第一印刷电路板电连接;

所述处理器芯片,用于产生或者接收低速电信号,位于所述第二印刷电路板的上表面,并通过所述第二印刷电路板、所述第一电连接器以及所述第一印刷电路板与所述光互连结构电连接。

2.根据权利要求1所述的结构,其特征在于,所述第二电连接器,用于与所述转接板共同实现低速电信号在所述第一印刷电路板与所述所述串并转换芯片之间的传输;

所述串并转换芯片,与所述放大电路芯片以及所述驱动电路芯片电连接,用于实现低速电信号与高速电信号之间的转换;

所述驱动电路芯片,与所述串并转换芯片以及所述光电转换芯片电连接,用于接收串并转换芯片传输的高速电信号,并驱动所述光电转换芯片对所述高速电信号与光学信号进行调制,得到载波光学信号;

所述放大电路芯片,与所述串并转换芯片以及所述光电转换芯片电连接,用于接收所述光电转换芯片产生的初始高速电信号,对所述初始高速电信号进行处理生成高速电信号,并将所述高速电信号传输至所述串并转换芯片;

所述光电转换芯片,上表面设置有光源,载波光学信号出口以及载波光学信号入口,所述光电转换芯片用于发射载波光学信号时,在所述驱动电路芯片的驱动下产生载波光学信号或者所述光电转换芯片用于接收载波光学信号时,对所述载波光学信号处理生成初始高速电信号。

3.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述串并转换芯片包括低速焊盘、发射端焊盘以及接收端焊盘,所述转接板包括位于其上表面的第一焊盘,所述驱动电路芯片包括第二焊盘以及第三焊盘,所述放大电路芯片包括第四焊盘以及第五焊盘,所述光电转换芯片包括第六焊盘以及第七焊盘;

所述低速焊盘与所述第一焊盘连接,所述发射端焊盘与所述第二焊盘连接,所述第三焊盘与所述第六焊盘连接;

所述接收端焊盘与所述第四焊盘连接,所述第五焊盘与所述第七焊盘连接。

4.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述串并转换芯片、所述驱动电路芯片、所述放大电路芯片以及所述光电转换芯片位于同一水平面,所述驱动电路芯片与所述放大电路芯片位于所述光电转换芯片与所述串并转换芯片之间;

所述驱动电路芯片与所述光电转换芯片以及所述串并转换芯片之间通过引线键合的方式互连;

所述放大电路芯片与所述光电转换芯片以及所述串并转换芯片之间通过引线键合的方式互连。

5.根据权利要求2所述的结构,其特征在于,所述串并转换芯片以及所述光电转换芯片位于同一水平面,所述驱动电路芯片以及所述放大电路芯片位于所述串并转换芯片以及所述光电转换芯片的上表面;

所述驱动电路芯片与所述光电转换芯片以及所述串并转换芯片之间通过倒装焊的方式互连;

所述放大电路芯片与所述光电转换芯片以及所述串并转换芯片之间通过倒装焊的方式互连。

6.根据权利要求5所述的结构,其特征在于,所述驱动电路芯片与所述放大电路芯片上表面设置有散热装置。

7.根据权利要求1至6任一项所述的结构,其特征在于,所述光互连结构与所述第一印刷电路板可插拔的连接,和/或,所述第二印刷电路板与所述第一印刷电路板可插拔的连接。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/202110361540.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top