[发明专利]一种退火炉降温速率校准的方法在审
| 申请号： | 202110356915.6 | 申请日： | 2021-04-01 |
| 公开（公告）号： | CN113281304A | 公开（公告）日： | 2021-08-20 |
| 发明（设计）人： | 魏星;魏涛;薛忠营 | 申请（专利权）人： | 上海新昇半导体科技有限公司;中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G01N21/47 | 分类号： | G01N21/47;G01N21/49;G01N21/59;G01N25/20;C30B33/02 |
| 代理公司： | 北京磐华捷成知识产权代理有限公司 11851 | 代理人： | 谢栒 |
| 地址： | 201306 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 退火炉 降温 速率 校准 方法 | ||
1.一种退火炉降温速率校准的方法，其特征在于，所述方法包括：
在所述第一退火炉中对多个第一晶圆进行加热；
将多个所述第一晶圆在所述第一退火炉中在不同的降温时间内分别降温至预设温度；
测量多个所述第一晶圆的表面参数；
建立所述表面参数和所述降温时间的第一对应关系；
在所述第二退火炉中对多个第二晶圆进行加热和降温，以建立表面参数和降温时间的第二对应关系，其中所述第二晶圆的加热和降温的条件与所述第一晶圆的加热和降温条件相同；
以所述第一对应关系为参照，调节所述第二退火炉中的降温速率，以将所述第一对应关系和所述第二对应关系中相同降温时间下的表面参数校准到同一水平。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，以所述第一对应关系为参照，调节所述第二退火炉中的降温速率，以使相同降温时间下的所述第二晶圆的表面参数与所述第一晶圆的表面参数相同。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述表面参数包括所述第一晶圆表面的雾度值和所述第二晶圆表面的雾度值。
4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述雾度值为所述第一晶圆表面的选定位置的雾度值和第二晶圆表面的选定位置的雾度值或所述第一晶圆表面的平均雾度值和第二晶圆表面的平均雾度值。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在所述第一退火炉中对多个所述第一晶圆进行加热的温度为1000℃～1300℃，加热时间为30s～100s。
6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述预设温度为1100℃～900℃。
7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，降温时向所述第一退火炉和所述第二退火炉中通入降温气体，以用于降温。
8.根据权利要求7所述的方法，其特征在于，所述降温气体包括氢气、氮气、氩气中的一种或几种。
9.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，通过调节降温过程中通入所述第二退火炉中的降温气体的流量来调节所述第二退火炉中的降温速率。
10.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，建立所述第一退火炉中的所述表面参数和所述降温时间之间的第一关系曲线；以及
建立所述第二退火炉中的所述表面参数和所述降温时间之间的第二关系曲线。
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