[发明专利]集成电路失效分析检测方法有效
申请号: | 202110353143.0 | 申请日: | 2021-04-01 |
公开(公告)号: | CN112735968B | 公开(公告)日: | 2021-10-01 |
发明(设计)人: | 龚羽;沈春;周耀 | 申请(专利权)人: | 苏州日月新半导体有限公司 |
主分类号: | H01L21/66 | 分类号: | H01L21/66;H01L21/56;G01R31/28;G01N21/95;G01N1/28 |
代理公司: | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人: | 林斯凯 |
地址: | 215021 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 集成电路 失效 分析 检测 方法 | ||
本申请实施例涉及一种集成电路失效分析检测方法。根据本申请的一实施例,集成电路失效分析检测方法包括:对集成电路组件进行封胶以得到包含集成电路的胶柱体,其中集成电路组件包括晶片和衬底,衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,晶片位于衬底的第一表面上;以及从靠近衬底的第二表面的胶柱体的底面进行研磨至暴露衬底。本申请实施例提供的集成电路失效分析检测方法可有效解决传统技术中遇到的问题。
技术领域
本申请实施例大体上涉及半导体领域,更具体地,涉及集成电路失效分析检测方法。
背景技术
在对集成电路组件,如封装产品进行分析时,通常需要观察集成电路组件里的晶片上的电路情况。传统的机械开盖法使用刀片将集成电路组件的外层和晶片所在的衬底的结合面分开,以观察晶片上的电路情况,此种方法在作业过程中容易造成晶片的损坏,且因此会破坏连接集成电路组件的外层和衬底的结合面的结构,例如若干个凸块连接点被破坏,使得同颗组件不能继续对凸块连接点的连接面做侧面研磨观察,因而使得集成电路组件的分析结果不准确。
因此,现有的集成电路失效分析检测方法需进一步改进。
发明内容
本申请实施例的目的之一在于提供一种集成电路失效分析检测方法,其可有效避免集成电路组件里的晶片的损坏。
本申请的一实施例提供一种集成电路失效分析检测方法,其包括:对集成电路组件进行封胶以得到包含集成电路的胶柱体,其中集成电路组件包括晶片和衬底,衬底具有第一表面和与第一表面相对的第二表面,晶片位于衬底的第一表面上;以及从靠近衬底的第二表面的胶柱体的底面进行研磨至暴露衬底。
根据本申请的另一实施例,其中衬底是透光的。
根据本申请的另一实施例,其中衬底是钽酸锂衬底。
根据本申请的另一实施例,其中集成电路组件还包括基板,基板和晶片之间由凸块相连接。
根据本申请的另一实施例,其中在从靠近衬底的第二表面的胶柱体的底面进行研磨至暴露衬底之后,将该胶柱体旋转一个角度进行研磨。
根据本申请的另一实施例,其中封胶包括:将集成电路组件放置于胶体中;以及对放置有集成电路组件的胶体进行固化。
根据本申请的另一实施例,其中胶体围封集成电路组件的全部外表面。
与现有技术相比,本申请实施例提供的集成电路失效分析检测方法,可有效避免待测试部件的破坏,同时可实现对同一颗集成电路组件的不同测试部位的有效分析。
附图说明
在下文中将简要地说明为了描述本申请实施例或现有技术所必要的附图以便于描述本申请的实施例。显而易见地,下文描述中的附图仅只是本申请中的部分实施例。对本领域技术人员而言,在不需要创造性劳动的前提下,依然可以根据这些附图中所例示的结构来获得其他实施例的附图。
图1A和图1B为传统的机械开盖法的示意图。
图2A和图2B为基板研磨法的示意图。
图3A-3D为根据本申请的一些实施例的集成电路失效分析检测方法的示意图。
具体实施方式
为更好的理解本申请实施例的精神,以下结合本申请的部分优选实施例对其作进一步说明。
本申请的实施例将会被详细的描示在下文中。在本申请说明书全文中,将相同或相似的组件以及具有相同或相似的功能的组件通过类似附图标记来表示。在此所描述的有关附图的实施例为说明性质的、图解性质的且用于提供对本申请的基本理解。本申请的实施例不应该被解释为对本申请的限制。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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